[发明专利]天线装置、芯片和终端有效
申请号: | 201911137380.2 | 申请日: | 2019-11-19 |
公开(公告)号: | CN112909521B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 刘英;任爱娣;赵畅;岳震震;陈月年;张玉;叶茂;李堃 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q1/24 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 焦志刚 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 天线 装置 芯片 终端 | ||
1.一种天线装置,其特征在于,包括:
水平极化端射天线,所述水平极化端射天线包括:
层叠设置的辐射层、多个介质层和导电地板,所述辐射层至少用于辐射毫米波信号,所述多个介质层位于所述辐射层和所述导电地板之间,所述多个介质层包括第一介质层;
在所述第一介质层中,辐射方向端面和底面之间的夹角为锐角,所述辐射方向端面位于本层朝向所述水平极化端射天线的辐射方向的一端,所述底面为本层靠近所述导电地板一侧的表面;
在所述多个介质层中,至少有相邻的两个介质层的相对介电常数不同,且所述相邻的两个介质层中靠近所述辐射层的一者的相对介电常数小于靠近所述导电地板的一者的相对介电常数。
2.根据权利要求1所述的天线装置,其特征在于,所述多个介质层包括:
位于所述第一介质层和所述导电地板之间的第二介质层,所述第二介质层和所述第一介质层相邻;
所述第一介质层的相对介电常数为E1,所述第二介质层的相对介电常数为E2,E1<E2。
3.根据权利要求2所述的天线装置,其特征在于,
在所述第一介质层中,所述辐射方向端面和所述底面之间的夹角角度为θ1;
在所述第二介质层中,所述辐射方向端面和所述底面之间的夹角角度为θ2,0°<θ2<θ1<90°。
4.根据权利要求2所述的天线装置,其特征在于,所述多个介质层包括:
位于所述第二介质层和所述导电地板之间的第三介质层,所述第三介质层和所述第二介质层相邻;
所述第三介质层的相对介电常数为E3,E2≤E3。
5.根据权利要求3所述的天线装置,其特征在于,所述多个介质层包括:
位于所述第二介质层和所述导电地板之间的第三介质层,所述第三介质层和所述第二介质层相邻;
所述第三介质层的相对介电常数为E3,E2≤E3。
6.根据权利要求1所述的天线装置,其特征在于,所述多个介质层包括:
位于所述第一介质层和所述辐射层之间的第二介质层,所述第二介质层和所述第一介质层相邻;
所述第一介质层的相对介电常数为E1,所述第二介质层的相对介电常数为E2,E2<E1。
7.根据权利要求6所述的天线装置,其特征在于,所述多个介质层包括:
位于所述第二介质层和所述辐射层之间的第三介质层,所述第三介质层和所述第二介质层相邻;
所述第三介质层的相对介电常数为E3,E3≤E2。
8.根据权利要求1所述的天线装置,其特征在于,所述多个介质层包括:
位于所述第一介质层和所述导电地板之间的第二介质层,所述第二介质层和所述第一介质层相邻;
位于所述第一介质层和所述辐射层之间的第三介质层,所述第三介质层和所述第一介质层相邻;
所述第一介质层的相对介电常数为E1,所述第二介质层的相对介电常数为E2,所述第三介质层的相对介电常数为E3,E3≤E1≤E2,且E3<E2。
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