[发明专利]量子点发光器件及其制备方法、发光装置

权利要求书

1.一种量子点发光器件，其特征在于，包括层叠设置的阳极、空穴传输层、界面修饰层、量子点发光层和阴极；所述界面修饰层设置于所述量子点发光层及所述空穴传输层之间，所述界面修饰层包括具有核壳结构的第一量子点，所述第一量子点的壳层组分为p型半导体；

所述第一量子点的壳层组分的禁带宽度小于所述第一量子点的核层组分的禁带宽度;

所述量子点发光层包括具有核壳结构的第二量子点；所述第二量子点的壳层组分为n型半导体。

2.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第一量子点的壳层组分选自PbS，PbSe和ZnTe中的至少一种，所述第一量子点的核层组分选自CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、CdZnS、CdZnSe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe和CdZnSeSTe中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第二量子点的核层与所述第一量子点的核层的组分相同。

4.根据权利要求3所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第二量子点的核层组分选自CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、CdZnS、CdZnSe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe、CdZnSeSTe中的至少一种，所述第二量子点的壳层组分选自CdS、ZnSe、ZnS、CdSeS和ZnSeS中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述界面修饰层的厚度为5 nm~20 nm；所述量子点发光层的厚度为10 nm ~ 30 nm。

6.根据权利要求3所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件还包括电子阻挡层，所述电子阻挡层设置在所述量子点发光层靠近所述阴极的一侧，所述电子阻挡层的材料为n型半导体。

7.根据权利要求6所述的量子点发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的材料与所述第二量子点的壳层的组分相同。

8.根据权利要求6所述的量子点发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度为10nm ~ 50 nm。

9.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件还包括设置在阳极和空穴传输层之间的空穴注入层；和/或

设置在阴极和电子阻挡层之间的电子传输层。

10.一种量子点发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供阳极，于所述阳极上形成空穴传输层；

于所述空穴传输层上形成界面修饰层；

于所述界面修饰层上形成量子点发光层；

于所述量子点发光层上形成阴极；

其中，形成所述界面修饰层的材料包括具有核壳结构的第一量子点，所述第一量子点的壳层组分为p型半导体；

所述第一量子点的壳层组分的禁带宽度小于所述第一量子点的核层组分的禁带宽度；

所述量子点发光层包括具有核壳结构的第二量子点；所述第二量子点的壳层组分为n型半导体。

11.一种发光装置，其特征在于，包括权利要求1~9任一项所述的量子点发光器件或者采用权利要求10所述制备方法制备得到的量子点发光器件。