[发明专利]量子点发光器件及其制备方法、发光装置

说明书

本发明涉及一种量子点发光器件及其制备方法、装置。量子点发光器件包括层叠设置的阳极、空穴传输层、界面修饰层、量子点发光层和阴极；所述界面修饰层设置于所述量子点发光层及所述空穴传输层之间，所述界面修饰层包括具有核壳结构的第一量子点，所述第一量子点的壳层组分为p型半导体。该量子点发光器件在量子点发光层和空穴传输层之间设置界面修饰层，界面修饰层包括具有核壳结构的第一量子点，且第一量子点的壳层组分为p型半导体，利于空穴传输，降低空穴从空穴传输层到量子点发光层的势垒，提高空穴的迁移率，促进器件的载流子平衡，从而提高量子点发光器件的发光效率和稳定性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种量子点发光器件及其制备方法、发光装置。

背景技术

显示技术从早期的阴极射线管（CRT），到20世纪80年代中期的液晶显示（LCD）、等离子体平板显示（PDP），再到目前主流的OLED和QLED，完成了一次又一次质的飞跃。

有机致发光二极管（OLED）由于其具有自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、视角宽、低功耗、可柔性显示等十分优异的显示性能，已成为显示技术领域中的主流技术。

量子点发光二极管（QLED）具有出射光颜色饱和，波长可调的优点，而且光致、电致发光量子产率高，近年来成了OLED的有力竞争者。QLED中的量子点发光层材料也从早期的单核结构，发展到了现在的核壳结构，其中核层材料一般使用稳定的硒化镉（CdSe）量子点，在红/绿QLED中有较高的性能，壳层材料一般使用硫化镉(CdS)、硒化锌(ZnSe)、硫化锌(ZnS)等，这些材料（包括核层材料和壳层材料）都是n型半导体材料，从材料本身来讲，电子迁移率要大于空穴迁移率，并且从电子传输层到量子点发光层之间的电子传输垫垒，比从空穴传输层到量子点发光层之间的空穴传输垫垒要小得多，两方面原因叠加造成器件中载流子不平衡，发光中心容易偏移，激子容易淬灭，导致器件效率和稳定性不高。

因此，现有技术还有待改进和发展。

发明内容

基于此，有必要提供一种发光效率高、稳定性好的量子点发光器件及其制备方法。

一种量子点发光器件，包括层叠设置的阳极、空穴传输层、界面修饰层、量子点发光层和阴极；

所述界面修饰层设置于所述量子点发光层及所述空穴传输层之间，所述界面修饰层包括具有核壳结构的第一量子点，所述第一量子点的壳层组分为p型半导体。

上述量子点发光器件在量子点发光层和空穴传输层之间设置界面修饰层，界面修饰层包括具有核壳结构的第一量子点，且第一量子点的壳层组分为p型半导体，利于空穴传输，降低空穴从空穴传输层到量子点发光层的势垒，提高空穴的迁移率，促进器件的载流子平衡，从而提高量子点发光器件的发光效率和稳定性。

在其中一个实施例中，所述第一量子点的壳层组分的禁带宽度小于所述第一量子点的核层组分的禁带宽度。

界面修饰层中的第一量子点的壳层组分对核层组分的电荷具有离域作用，当空穴从空穴传输层传输到界面修饰层时，空穴会被离域到量子点发光层，进一步促进空穴的传输，提高空穴的迁移率和载流子平衡。

在其中一个实施例中，所述第一量子点的壳层组分选自PbS，PbSe和ZnTe中的至少一种，所述第一量子点的核层组分选自CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、CdZnS、CdZnSe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe和CdZnSeSTe中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述量子点发光层包括具有核壳结构的第二量子点；所述第二量子点的核层与所述第一量子点的核层的组分相同，且所述第二量子点的壳层组分为n型半导体。