[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置有效
申请号: | 201911139583.5 | 申请日: | 2019-11-20 |
公开(公告)号: | CN110828525B | 公开(公告)日: | 2022-10-18 |
发明(设计)人: | 韩影;王玲;林奕呈;徐攀;靳倩 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底基板;
平坦化层,设于所述衬底基板的一侧;所述平坦化层设置有阵列分布的多个凹槽;
像素电极层,设于所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧;所述像素电极层包括与多个所述凹槽一一对应设置的多个像素电极,任一所述像素电极设置有发光区域;任一所述像素电极的发光区域在所述衬底基板上的正投影,位于对应的所述凹槽的槽底在所述衬底基板的正投影内;
像素定义层,设于所述像素电极层远离所述衬底基板的一侧,且暴露各个所述发光区域;
有机发光层,设于所述像素电极层远离所述衬底基板的一侧,且覆盖各个所述像素电极的发光区域;
公共电极层,设于所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧,且覆盖所述有机发光层;
堤坝层,设于所述公共电极层远离所述衬底基板的一侧;所述堤坝层在所述衬底基板上的正投影,与各个所述凹槽在衬底基板上的正投影完全不重合;
量子点层,覆盖至少部分被所述堤坝层暴露的所述公共电极层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,沿垂直于所述衬底基板所在平面的方向,所述凹槽的尺寸大于2微米。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述堤坝层的厚度不大于6微米。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述量子点层的厚度大于8微米。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,任一所述发光区域在所述衬底基板上的正投影中的任意一点,与所述堤坝层在所述衬底基板上的正投影中的任意一点之间的距离,不小于3微米。
6.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板的一侧形成平坦化层,且所述平坦化层设置有阵列分布的多个凹槽;
在所述平坦化层远离所述衬底基板的一侧形成像素电极层,所述像素电极层包括与多个所述凹槽一一对应设置的多个像素电极,任一所述像素电极设置有发光区域;任一所述像素电极的发光区域在所述衬底基板上的正投影,位于对应的所述凹槽的槽底在所述衬底基板的正投影内;
在所述像素电极层远离所述衬底基板的一侧形成像素定义层,所述像素定义层暴露各个所述发光区域;
在所述像素电极层远离所述衬底基板的一侧形成有机发光层,所述有机发光层覆盖各个所述像素电极的发光区域;
在所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧形成公共电极层,所述公共电极层覆盖所述有机发光层;
在所述公共电极层远离所述衬底基板的一侧形成堤坝层,所述堤坝层在所述衬底基板上的正投影,与各个所述凹槽在衬底基板上的正投影完全不重合;
形成量子点层,所述量子点层覆盖至少部分被所述堤坝层暴露的所述公共电极层。
7.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1~5任一项所述的阵列基板。
8.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求7所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的