[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置

说明书

本公开提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，属于显示技术领域。本公开的阵列基板，通过增加像素定义层的厚度或者将像素电极设置于平坦化层的凹槽槽底，进而可以增大堤坝层与像素电极之间的高度差，使得阵列基板的量子点层可以更厚，能够提高量子点层的转化效率。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。

背景技术

QD-OLED(量子点-有机电致发光器件)具有高分辨率、高色域、不具视角依赖性、可以应用到大型中型高色域高分辨率产品中等优点。

在制备量子点层时，需要先制备用于阻挡量子点墨水流动的堤坝层(Bank)，然后再向堤坝层所形成的容置孔中注入量子点墨水。然而，受到工艺的限制，堤坝层(Bank)的厚度比较薄，这导致无法制备具有较大厚度的量子点层，制约了OD-OLED的性能。

所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，以提高量子点层的厚度。

为实现上述发明目的，本公开采用如下技术方案：

根据本公开的第一个方面，提供一种阵列基板，包括：

衬底基板；

像素电极层，设于所述衬底基板的一侧；所述像素电极层包括阵列设置的多个像素电极，任一所述像素电极设置有至少一个发光区域；

像素定义层，设于所述像素电极层远离所述衬底基板的一侧，且暴露各个所述发光区域；所述像素定义层的厚度大于1.5微米；

有机发光层，设于所述像素电极层远离所述衬底基板的一侧，且覆盖各个所述像素电极的发光区域；

公共电极层，设于所述有机发光层远离所述衬底基板的一侧，且覆盖所述有机发光层；

堤坝层，设于所述公共电极层远离所述衬底基板的一侧；所述堤坝层在所述衬底基板上的正投影位于所述像素定义层在所述衬底基板上的正投影内；

量子点层，覆盖至少部分被所述堤坝层暴露的所述公共电极层。

在本公开的一种示例性实施例中，所述像素定义层的厚度大于3.5微米。

在本公开的一种示例性实施例中，所述堤坝层的厚度不大于6微米。

在本公开的一种示例性实施例中，所述量子点层的厚度大于8微米。

在本公开的一种示例性实施例中，任一所述发光区域在所述衬底基板上的正投影中的任意一点，与所述堤坝层在所述衬底基板上的正投影中的任意一点之间的距离，不小于3微米。

在本公开的一种示例性实施例中，所述像素定义层包括：

第一像素定义层，设于所述像素电极层远离所述衬底基板的一侧，且暴露各个所述发光区域；

第二像素定义层，设于所述第一像素定义层远离所述衬底基板的表面，且暴露至少部分所述第一像素定义层；

所述堤坝层在所述衬底基板上的正投影位于所述第二像素定义层在所述衬底基板上的正投影内。

根据本公开的第二个方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板的一侧形成像素电极层，所述像素电极层包括阵列设置的多个像素电极，任一所述像素电极设置有至少一个发光区域；