[发明专利]一种无需激活的钛基吸氢材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201911139755.9 申请日: 2019-11-20
公开(公告)号: CN110863174A 公开(公告)日: 2020-03-06
发明(设计)人: 史志胜;熊玉华;崔建东;郭德宇;吴华亭 申请(专利权)人: 有研工程技术研究院有限公司
主分类号: C23C14/02 分类号: C23C14/02;C23C14/16;C23C14/35
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 黄家俊
地址: 101407 北京市怀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 无需 激活 钛基吸氢 材料 及其 制备 方法
【说明书】:

发明属于吸气剂材料技术领域的一种无需激活的钛基吸氢材料及其制备方法,所述材料包括吸气层、过渡层和保护层,所述过渡层和保护层依次对称分布在吸气层两侧;吸气层中金属Ti箔的纯度为99.9%以上;过渡层中的Ti的纯度为99.995%以上;保护层为Pd、Ni和Pd‑Ag合金中任意一种,其中Pd的纯度为99.95%以上,Ni的纯度为99.995%以上,Pd‑Ag合金中Ag的重量百分比为25%。本发明的钛基吸氢材料具有无需激活、室温吸氢、吸氢量大、可切割、厚度可调、使用方便等特点,可用于消除高真空电子器件的残余氢气,避免氢气对器件造成危害。

技术领域

本发明属于吸气剂材料技术领域,特别涉及一种无需激活的钛基吸氢材料及其制备方法。

背景技术

在科学技术和国防军工事业迅猛发展的今天,保障一些关键器件的使用寿命、性能稳定性和可靠性已经成为提高我国军事国防能力的关键问题。目前真空技术领域涉及到的很多电真空器件对内部的氢气含量十分敏感,例如,有源相控阵雷达T/R组件中的砷化镓(GaAs)器件,内部存在的少量的H2就会导致密封器件退化;红外探测器或太阳能接收器也会因残余H2的存在导致其稳定性严重降低甚至失效等。通过使用能够选择性吸氢的材料可以有效控制器件内部的氢气含量。因此,具有理想H2吸附性能的吸气材料被认为是众多高真空器件内的关键材料。传统的吸气材料往往具有较高的表面活性,在暴露大气的过程中会在表面形成一层钝化膜,阻碍活性气体在吸气材料表面的化学吸附与扩散过程,因此未经激活处理的吸气材料在常温下不能发挥吸气作用,导致其很难直接应用到对温度调节要求较高的真空封装器件中,所以本发明旨在研发出一种不需要激活处理,在室温下就可以选择性吸收氢气的材料。

发明内容

针对上述问题,本发明提出了一种无需激活的钛基吸氢材料及其制备方法,具体技术方案如下:

一种无需激活的钛基吸氢材料,包括吸气层、过渡层和保护层,所述过渡层和保护层依次对称分布在吸气层两侧;吸气层中金属Ti箔的纯度为99.9%以上;过渡层中的Ti的纯度为99.995%以上;保护层为Pd、Ni和Pd-Ag合金中任意一种,其中Pd的纯度为99.95%以上,Ni的纯度为99.995%以上,Pd-Ag合金中Ag的重量百分比为25%。

所述吸气层厚度为100~500μm;所述过渡层为致密结构,厚度为100nm~1μm;所述保护层为致密结构,厚度为50~500nm。

一种无需激活的钛基吸氢材料的制备方法,包括以下步骤:

1)分别用丙酮、无水乙醇、去离子水清洗高纯Ti箔,用高纯氩气吹干;

2)通过离子溅射法将Ti箔表面的氧化层去除,露出Ti箔新鲜金属表面,作为吸气层;

3)在吸气层上磁控溅射沉积Ti薄膜作为过渡层;

4)在过渡层上磁控溅射沉积Pd薄膜、Ni薄膜或Pd-Ag合金膜作为保护层;

5)将钛箔翻面,重复步骤2)~步骤4)。

所述步骤2)中镀膜腔室的背底真空抽至5.0×10-6~5.0×10-4Pa,然后向腔室内通入高纯氩气,用离子轰击Ti箔表面。

所述步骤3)中溅射气压为0.2~1.0Pa,溅射功率为100~300W,靶基距为5~8cm,沉积时间为3~30min。

所述步骤4)中溅射气压为0.2~1.0Pa,溅射功率为50~300W,靶基距为5~8cm,沉积时间为30~600s。

本发明的有益效果在于:

1.本发明提供的无需激活的钛基吸氢材料具有无需激活、室温吸氢、吸氢量大、可切割、厚度可调、使用方便等特点,可用于消除高真空电子器件的残余氢气,避免氢气对器件造成危害。

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