[发明专利]发光元件及包括其的发光模块

说明书

本发明提供一种发光元件及包括其的发光模块。发光模块包括安装基板、多个发光芯片、及多个导电性接着部，发光芯片中的每一者包括第一基板、第一发光部、与第一基板隔开配置的第二基板、第二发光部，且第一基板的一侧面包括第一改质面，与第一基板的一侧面相对的第二基板的一侧面包括第二改质面，第一改质面包括沿所述第一基板的厚度方向延长的改质区及配置在改质区之间的断裂区，第二改质面包括沿第二基板的厚度方向延长的改质区及配置在所述改质区之间的断裂区，第一改质面的断裂区中的每一者的宽度与第二改质面的断裂区中的每一者的宽度相同。

技术领域

本发明涉及一种发光元件及包括其的发光模块，更详细而言涉及一种氮化物系发光元件及包括其的发光模块。

背景技术

发光二极管是无机光源，以各种方式应用于如显示装置、车用灯、普通照明等各种领域。发光二极管具有寿命长、电力消耗低、响应速度快的优点，因此正快速地代替现有的光源。

发光二极管在形成在如蓝宝石等晶片上后，通过切片(dicing)工艺分离为发光芯片。以下，对从晶片分离发光芯片的工艺进行说明。

图1是用于说明为了制造晶片而对晶锭(ingot)进行切断的方法的剖面图，图2是用于说明图1的晶片的剖面图。

参照图1，使晶锭(ingot)沿c-轴生长，切断晶锭进行加工，形成具有平坦区(flatzone，FZ)的晶片WF。由于在切断晶锭时偏离(off axis)c-轴特定角度θ进行切断，因此对晶片WF进行切晶(dicing)进行芯片分割时，会使从芯片暴露出的m面相对于芯片的上表面变得倾斜。

参照图2，在晶片WF中，与平坦区FZ的延长方向并列的方向为m-轴。将m-轴方向称为第一方向DR1，将与m-轴垂直的方向称为第二方向DR2。例如，第二方向DR2为a-轴。a面为沿第一方向DR1将晶片WF切断后暴露出的面，m面为沿第二方向DR2将晶片WF切断后暴露出的面。

作为通常的工艺，在晶片上形成多个发光二极管。其作为众所周知的技术而省略详细的说明。

进而，利用激光分离形成于晶片上的发光二极管。

图3a是用于对为了切断晶片根据以往技术的使用激光的方法进行说明的概略图。

参照图3a，将激光光聚光到晶片的一深度处进行照射，形成点型(dotted type)的改质区。并且以改质区为基点使晶片断裂而分离成包括发光二极管的发光芯片。断裂区在点型的改质区中以连接点型的改质区的方式沿垂直于晶片的厚度方向的方向延长。

因其结晶结构特性，沿第二方向切断比沿第一方向切断容易。因此，即便以比向第一方向照射的激光光更少地向第二方向照射激光光，也可迅速容易地沿第二方向切断晶片。沿第二方向切断的面具有倾斜的m面。

发光芯片的尺寸小，而通过以往工艺切断的发光芯片相对于发光芯片的上表面具有倾斜的侧面，因此在拾取发光芯片转移到目的位置期间，发光芯片会旋转，在转移的电路基板上也存在因倾斜的侧面而掉落的情况。另外，由于发光芯片中的每一者在被拾取移动的期间任意地旋转并被安装在电路基板上，因此倾斜的侧面不规则地排列而从安装在电路基板上的多个发光芯片产生的光的指向角各自表现出不均匀的亮度。

图3b是利用在图3a中说明的方法形成的基板的照片。在图3b中，左边是基板的上部表面的照片，中间是沿第一方向倾斜切断晶片的第一侧面而获得的照片，右边是沿第二方向切断晶片的第二侧面的照片。在中间照片的左边部分可观察到第二侧面的一部分。

如图3b所示，可知切断的基板沿一方向倾斜。在基板的上部表面与第一侧面及第二侧面之间的角度中，包括与90度略远的84.3度及95.4度，因此可知切断的基板沿一方向倾斜。另外，可观察到改质区及断裂区与基板的厚度方向平行。

发明内容

[发明所要解决的问题]