[发明专利]晶体管终端结构及其制造方法

权利要求书

1.一种晶体管终端结构，所述终端结构在平面上环状包围晶体管的有源区，所述终端结构包括衬底、衬底上的截止环和衬底上的多个分压环，各分压环设于截止环与有源区和终端结构的分界处的主结之间；其特征在于，还包括多个沟槽多晶硅场板，分布于最靠近所述主结的一分压环与所述截止环之间的衬底中，每两个相邻的分压环之间设置的沟槽多晶硅场板不超过一个。

2.根据权利要求1所述的晶体管终端结构，其特征在于，至少部分所述沟槽多晶硅场板设于两相邻分压环的中点。

3.根据权利要求1或2所述的晶体管终端结构，其特征在于，各所述相邻分压环之间有且仅有一个沟槽多晶硅场板，第一分压环与所述截止环之间设有第一场板，所述第一分压环是所述终端结构最靠近所述截止环的一分压环，所述第一场板是沟槽多晶硅场板。

4.根据权利要求3所述的晶体管终端结构，其特征在于，所述第一场板与所述第一分压环的间距小于截止间距的二分之一、大于离所述第一场板最近的一沟槽多晶硅场板与离所述第一分压环最近的一分压环的间距。

5.根据权利要求1所述的晶体管终端结构，其特征在于，第二分压环与所述主结之间不设置沟槽多晶硅场板，所述第二分压环是距主结最近的一分压环；所述晶体管终端结构还包括设于所述衬底上、从所述主结向所述第二分压环延伸的第一金属场板。

6.根据权利要求5所述的晶体管终端结构，其特征在于，所述第一金属场板的长度大于或等于1微米、小于或等于所述主结与所述第二分压环的间距。

7.根据权利要求3所述的晶体管终端结构，其特征在于，还包括第二金属场板，所述第二金属场板从所述截止环上向所述第一分压环延伸且与所述截止环电连接，所述第二金属场板的长度小于截止间距的二分之一。

8.根据权利要求1所述的晶体管终端结构，其特征在于，所述截止环的导电类型与各所述分压环相反。

9.一种晶体管终端结构的制造方法，所述终端结构在平面上环状包围晶体管的有源区，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底，所述衬底上形成有第一掩膜层，所述第一掩膜层开设有分压环掺杂窗口；

通过所述分压环掺杂窗口注入第二导电类型杂质以在所述衬底上形成多个分压环；

在所述衬底上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层开设有沟槽窗口，所述硬掩膜层和所述沟槽窗口位于所述有源区和所述终端结构；

在所述沟槽窗口下方刻蚀出沟槽，所述沟槽包括有源区沟槽和多个终端沟槽，各所述终端沟槽位于相邻的分压环之间及距所述有源区最远的一分压环的外侧；

在所述有源区沟槽内表面和各终端沟槽内表面形成栅介质层；

淀积多晶硅并反刻从而在各所述终端沟槽内形成沟槽多晶硅场板，每两个相邻的分压环之间设置的沟槽多晶硅场板不超过一个；

在所述衬底上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层开设有截止环注入窗口；

通过所述截止环注入窗口注入第一导电类型杂质以在所述衬底上形成截止环，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述在所述沟槽窗口下方刻蚀出沟槽的步骤是采用干法刻蚀工艺，所述在所述有源区沟槽内表面和各终端沟槽内表面形成栅介质层的步骤之前，还包括在所述沟槽内表面热生长牺牲氧化层并用氢氟酸溶液去除所述牺牲氧化层的步骤。