[发明专利]晶体管终端结构及其制造方法

说明书

本发明涉及一种晶体管终端结构及其制造方法，所述终端结构在平面上环状包围晶体管的有源区，所述终端结构包括衬底、衬底上的截止环和衬底上的多个分压环，各分压环设于截止环与有源区和终端结构的分界处的主结之间；其特征在于，还包括多个沟槽多晶硅场板，分布于最靠近所述主结的一分压环与所述截止环之间的衬底中，每两个相邻的分压环之间设置的沟槽多晶硅场板不超过一个。本发明通过沟槽多晶硅场板取代传统的水平多晶硅场板方案，能够在保证与传统方案有同样耐压的前提下缩小了分压环间距，从而能够缩短终端结构整体尺寸，体现了较好的终端性价比和经济性。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种晶体管终端结构，还涉及一种晶体管终端结构的制造方法。

背景技术

高可靠性终端一般为浮空分压环配合场板的复合终端技术来有效提高晶体管的终端可靠性，这种结构为了poly场板的放置及提升各浮空环的耐压水平，浮空环间距比较宽，虽然常温和高温耐压可靠性良好，但整个终端结构比较长，经济廉价性较差，市场竞争力不足，严重制约高品质产品的市场化和普及化。

发明内容

基于此，有必要提供一种面积较小的晶体管终端结构及其制造方法。

一种晶体管终端结构，所述终端结构在平面上环状包围晶体管的有源区，所述终端结构包括衬底、衬底上的截止环和衬底上的多个分压环，各分压环设于截止环与有源区和终端结构的分界处的主结之间；其特征在于，还包括多个沟槽多晶硅场板，分布于最靠近所述主结的一分压环与所述截止环之间的衬底中，每两个相邻的分压环之间设置的沟槽多晶硅场板不超过一个。

在其中一个实施例中，至少部分所述沟槽多晶硅场板设于两相邻分压环的中点。

在其中一个实施例中，各所述相邻分压环之间有且仅有一个沟槽多晶硅场板，第一分压环与所述截止环之间设有第一场板，所述第一分压环是所述终端结构最靠近所述截止环的一分压环，所述第一场板是沟槽多晶硅场板。

在其中一个实施例中，所述第一场板与所述第一分压环的间距小于截止间距的二分之一、大于离所述第一场板最近的一沟槽多晶硅场板与离所述第一分压环最近的一分压环的间距。

在其中一个实施例中，第二分压环与所述主结之间不设置沟槽多晶硅场板，所述第二分压环是距主结最近的一分压环；所述晶体管终端结构还包括设于所述衬底上、从所述主结向所述第二分压环延伸的第一金属场板。

在其中一个实施例中，所述第一金属场板的长度大于或等于1微米、小于或等于所述主结与所述第二分压环的间距。

在其中一个实施例中，还包括第二金属场板，所述第二金属场板从所述截止环上向所述第一分压环延伸且与所述截止环电连接，所述第二金属场板的长度小于截止间距的二分之一。

在其中一个实施例中，所述截止环的导电类型与各所述分压环相反。

上述晶体管终端结构，通过沟槽多晶硅场板取代传统的水平多晶硅场板方案，能够在保证与传统方案有同样耐压的前提下缩小了分压环间距，从而能够缩短终端结构整体尺寸，体现了较好的终端性价比和经济性。