[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

形成一基底，所述基底包括衬底以及覆盖于所述衬底表面的介质层，所述介质层表面包括器件区域和标记区域，同步刻蚀所述标记区域和所述器件区域的介质层，在所述标记区域形成贯穿所述介质层的通孔以及在所述器件区域形成凹孔或凹槽，

在所述标记区域形成填充于所述通孔内的套刻层的同时在所述器件区域形成器件层，所述套刻层及器件层覆盖于所述介质层表面；

遮盖所述套刻层并图案化所述器件层，形成初始器件结构；

图案化所述套刻层及所述初始器件结构；

于所述标记区域形成套刻标记、并同时于所述器件区域形成器件结构，所述套刻标记的顶面与所述介质层的顶面平齐。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，于所述标记区域形成套刻层的具体步骤包括：

沉积导电材料于所述介质层表面，于所述标记区域形成套刻层、并同时于所述器件区域形成器件层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，遮盖所述套刻层并图案化所述器件区域的具体步骤包括：

覆盖光阻层于所述套刻层表面并图案化所述器件层，形成所述初始器件结构。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，覆盖光阻层于所述套刻层表面并图案化所述器件层的具体步骤包括：

形成覆盖所述套刻层和所述器件层的光阻层；

图案化所述光阻层，形成暴露所述器件层的开口，残留的所述光阻层覆盖所述套刻层；

自所述开口刻蚀所述器件层。

5.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，图案化所述套刻层及所述初始器件结构的具体步骤包括：

剥离所述光阻层；

刻蚀所述套刻层、去除覆盖于所述介质层表面的所述套刻层，并同时刻蚀所述初始器件结构、形成器件结构，残留于所述通孔内的所述套刻层作为所述套刻标记。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述套刻层的材料为金属材料。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在沿平行于所述介质层的表面的方向上，所述套刻标记包括：

第一图形，沿第一方向延伸；

第二图形，沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相交。

8.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括衬底以及覆盖于所述衬底表面的介质层，所述介质层表面包括器件区域和标记区域，所述标记区域具有贯穿所述介质层的通孔及填充于所述通孔内并覆盖于所述介质层表面的套刻层，所述器件区域具有凹孔或凹槽以及覆盖于所述介质层表面的器件层；

所述标记区域具有贯穿所述介质层的通孔与所述器件区域具有的凹孔或凹槽同时形成；

所述填充于所述通孔内并覆盖于所述介质层表面的套刻层与所述覆盖于所述介质层表面的器件层同时形成；

套刻标记，填充于所述通孔内，所述套刻标记的顶面与所述介质层的顶面平齐。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述套刻标记的材料为金属材料。

10.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

器件结构，位于所述器件区域的所述介质层表面；

所述器件结构的材料与所述套刻标记的材料相同。

11.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，在沿平行于所述介质层的表面的方向上，所述套刻标记包括：

第一图形，沿第一方向延伸；

第二图形，沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相交。