[发明专利]巨量转移方法、显示装置的制作方法和显示装置

权利要求书

1.一种巨量转移方法，其特征在于，包括：

对制备有微型发光二极管阵列的原始基底进行湿法腐蚀，以使所述微型发光二极管阵列与所述原始基底的接触面积减小；所述微型发光二极管阵列包括多个依次排列的微型发光二极管；

将所述微型发光二极管阵列远离所述原始基底的一侧与第一临时衬底结合；所述第一临时衬底用于临时固定所述微型发光二极管阵列；

再次对所述原始基底进行湿法腐蚀，以使所述微型发光二极管阵列与所述原始基底剥离，去除所述原始基底；

通过所述第一临时衬底，将所述微型发光二极管阵列与目标基板结合，完成巨量转移；

所述通过所述第一临时衬底，将所述微型发光二极管阵列与目标基板结合的步骤包括：

将位于所述第一临时衬底的微型发光二极管阵列远离所述第一临时衬底的一侧与第二临时衬底结合，并分离所述第一临时衬底与所述微型发光二极管阵列；

将位于所述第二临时衬底的微型发光二极管阵列远离所述第二临时衬底的一侧与目标基板结合；所述目标基板上设置的多个驱动电极用于驱动所述微型发光二极管阵列工作；

所述微型发光二极管阵列通过第一粘合层与所述第一临时衬底结合，所述分离所述第一临时衬底与所述微型发光二极管阵列的步骤包括：

点亮所述微型发光二极管阵列中的微型发光二级管，并采用视觉观察判断点亮的微型发光二极管阵列的发光情况，若所述发光情况满足条件则通过所述微型发光二级管发光时产生的热量加热所述第一粘合层与所述微型发光二极管阵列相接触的区域的粘附力，以分离所述第一临时衬底与所述微型发光二极管阵列。

2.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述微型发光二极管阵列通过第一粘合层与所述第一临时衬底结合，所述分离所述第一临时衬底与所述微型发光二极管阵列的步骤包括：

使用紫外线照射所述第一粘合层，降低所述第一粘合层与所述微型发光二极管阵列相接触的区域的粘附力，以分离所述第一临时衬底与所述微型发光二极管阵列。

3.根据权利要求1或2所述的巨量转移方法，其特征在于，所述第一粘合层为能通过加热的方式或紫外线照射的方式减弱粘性的胶层。

4.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述微型发光二极管阵列通过第二粘合层与所述第二临时衬底结合。

5.根据权利要求4所述的巨量转移方法，其特征在于，所述第二粘合层为能通过加热的方式或紫外线照射的方式减弱粘性的胶层。

6.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述原始基底采用半导体材料制成。

7.一种显示装置的制作方法，其特征在于，采用权利要求1-6任意一项所述的巨量转移方法实现微型发光二极管阵列的巨量转移。

8.一种显示装置，其特征在于，采用权利要求7所述的显示装置制作方法制作形成。