[发明专利]巨量转移方法、显示装置的制作方法和显示装置

说明书

本申请实施例提供了一种巨量转移方法、显示装置的制作方法和显示装置，涉及半导体器件制备技术领域。该巨量转移方法首先对制备有微型发光二极管阵列的原始基底进行湿法腐蚀，以使微型发光二极管阵列与原始基底的接触面积减小。接着，将微型发光二极管阵列远离原始基底的一侧与第一临时衬底结合。然后，再次对原始基底进行湿法腐蚀，以使微型发光二极管阵列与原始基底剥离，去除原始基底。最后，通过第一临时衬底，将微型发光二极管阵列与目标基板结合，完成巨量转移。如此，通过采用临时衬底固定微型发光二极管阵列与逐次腐蚀相结合的方式减少了微型发光二极管阵列巨量转移过程中发生丢失的概率，减小了位移误差，从而提升了良品率。

技术领域

本申请涉及半导体器件制造技术领域，具体而言，涉及一种巨量转移方法、显示装置的制作方法和显示装置。

背景技术

微型发光二极管(Micro-LED)就是“微”LED(发光二极管)，微型发光二极管阵列显示作为一种新显示技术，与其它显示技术，比如液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)、有机电激光显示(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)等离子显示(Plasma DisplayPanel，PDP)等相比，其核心的不同之处在于其采用无机LED作为发光像素。

制作好的微小的LED需要转移到做好驱动电路的基底上。无论是电视还是手机屏，其像素的数量都是相当巨大的，而像素的尺寸较小，并且显示产品对于像素错误的容忍度也很低，一块有“亮点”或“暗点”的显示屏无法满足用户需求，所以将这些小像素可靠地转移到做好驱动电路的衬底上并实现电路连接是十分困难、复杂的技术。实际上，“巨量转移”确实是目前Micro-LED商业化上面的一大瓶颈技术。其转移的效率，成功率都决定着商业化的成功与否。如何提高巨量转移后Micro-LED器件的良品率是值得研究的问题。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种巨量转移方法、显示装置的制作方法和显示装置，以解决上述问题。

本申请提供一种技术方案：

第一方面，实施例提供一种巨量转移方法，包括：

对制备有微型发光二极管阵列的原始基底进行湿法腐蚀，以使所述微型发光二极管阵列与所述原始基底的接触面积减小；

将所述微型发光二极管阵列远离所述原始基底的一侧与第一临时衬底结合；

再次对所述原始基底进行湿法腐蚀，以使所述微型发光二极管阵列与所述原始基底剥离，去除所述原始基底；

通过所述第一临时衬底，将所述微型发光二极管阵列与目标基板结合，完成巨量转移。

在可选的实施方式中，所述通过所述第一临时衬底，将所述微型发光二极管阵列与目标基板结合的步骤包括：

将位于所述第一临时衬底的微型发光二极管阵列远离所述第一临时衬底的一侧与第二临时衬底结合，并分离所述第一临时衬底与所述微型发光二极管阵列；

将位于所述第二临时衬底的微型发光二极管阵列远离所述第二临时衬底的一侧与目标基板结合。

在可选的实施方式中，所述微型发光二极管阵列通过第一粘合层与所述第一临时衬底结合，所述分离所述第一临时衬底与所述微型发光二极管阵列的步骤包括：

加热所述第一粘合层，降低所述第一粘合层与所述微型发光二极管阵列相接触的区域的粘附力，从而分离所述第一临时衬底与所述微型发光二极管阵列。

在可选的实施方式中，所述微型发光二极管阵列通过第一粘合层与所述第一临时衬底结合，所述分离所述第一临时衬底与所述微型发光二极管阵列的步骤包括：

使用紫外线照射所述第一粘合层，降低所述第一粘合层与所述微型发光二极管阵列相接触的区域的粘附力，以分离所述第一临时衬底与所述微型发光二极管阵列。