[发明专利]用于确定存储器单元的数据状态的设备及方法在审

专利信息
申请号: 201911142206.7 申请日: 2019-11-20
公开(公告)号: CN111326193A 公开(公告)日: 2020-06-23
发明(设计)人: U·鲁索;V·莫斯基亚诺;W·C·菲利皮亚克;A·德亚历山德罗 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C16/04 分类号: G11C16/04;G11C16/10;G11C16/26;G11C16/30
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 确定 存储器 单元 数据 状态 设备 方法
【权利要求书】:

1.一种操作存储器的方法,其包括:

在所述存储器的存储器单元的编程操作期间确定步阶式感测操作的激活所述存储器单元的电压电平;及

在所述存储器单元的读取操作期间确定斜坡式感测操作的激活所述存储器单元的电压电平。

2.根据权利要求1所述的方法,其中确定所述步阶式感测操作的激活所述存储器单元的所述电压电平包括:使用第一感测电路来感测数据线的状态,且其中确定所述斜坡式感测操作的激活所述存储器单元的所述电压电平包括:使用不同于所述第一感测电路的第二感测电路来感测所述数据线的状态。

3.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:响应于与所述存储器单元相对于用于所述存储器单元的串驱动器的特定位置对应的校正因子而校正所述斜坡式感测操作的所述所确定电压电平。

4.根据权利要求3所述的方法,其中所述特定位置对应于特定距离,所述方法进一步包括:

确定对应于第一位置的第一校正因子,所述第一位置对应于小于所述特定距离的第一距离;

确定对应于第二位置的第二校正因子,所述第二位置对应于大于所述特定距离的第二距离;及

通过在所述第一校正因子与所述第二校正因子之间进行内插而确定对应于所述特定位置的所述校正因子。

5.根据权利要求3所述的方法,其中所述步阶式感测操作是特定步阶式感测操作,且其中所述斜坡式感测操作是特定斜坡式感测操作,且其中在确定所述特定步阶式感测操作的所述电压电平之前,所述方法进一步包括:

将所述存储器的多个存储器单元编程为具有多种数据状态中的相应数据状态,其中所述多个存储器单元中的每一存储器单元相对于用于所述存储器单元的相应串驱动器具有相应位置;

针对所述多个存储器单元中的每一存储器单元:

确定先前步阶式感测操作的激活所述存储器单元的相应电压电平;

确定先前斜坡式感测操作的激活所述存储器单元的相应电压电平;

确定所述先前斜坡式感测操作的激活所述存储器单元的所述相应电压电平与所述先前步阶式感测操作的激活所述存储器单元的所述相应电压电平之间的相应差;及

针对所述多个存储器单元中相对于其相应串驱动器具有所述特定位置的每一存储器单元,至少响应于所述相应差而确定所述校正因子。

6.一种操作存储器的方法,其包括:

对所述存储器的第一存储器单元进行编程,其中所述第一存储器单元相对于用于所述第一存储器单元的相应串驱动器具有特定位置;

确定步阶式感测操作的激活所述第一存储器单元的电压电平;

确定斜坡式感测操作的激活所述第一存储器单元的电压电平;

确定所述斜坡式感测操作的激活所述第一存储器单元的所述电压电平与所述步阶式感测操作的激活所述第一存储器单元的所述电压电平之间的差;及

至少响应于所述斜坡式感测操作的激活所述第一存储器单元的所述电压电平与所述步阶式感测操作的激活所述第一存储器单元的所述电压电平之间的所述差而确定所述存储器的第二存储器单元的斜坡式感测操作的校正因子。

7.根据权利要求6所述的方法,其中对所述第一存储器单元进行编程包括:对包括所述第一存储器单元的多个存储器单元进行编程。

8.根据权利要求7所述的方法,其中确定所述步阶式感测操作的激活所述第一存储器单元的所述电压电平包括:针对所述多个存储器单元中的每一存储器单元,确定所述步阶式感测操作的激活所述存储器单元的相应电压电平。

9.根据权利要求7所述的方法,其中确定所述斜坡式感测操作的激活所述第一存储器单元的所述电压电平包括:针对所述多个存储器单元中的每一存储器单元,确定所述斜坡式感测操作的激活所述存储器单元的相应电压电平。

10.根据权利要求6所述的方法,其中对所述第一存储器单元进行编程包括:使用先前步阶式感测操作来验证对所述第一存储器单元进行的所述编程。

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