[发明专利]存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

存储器单元块，该存储器单元块包括多个存储器单元；

外围电路，所述外围电路被配置为通过将第一擦除电压和第二擦除电压施加到所述存储器单元块的源极线来通过栅致漏极泄漏GIDL方法执行擦除操作；以及

控制逻辑，该控制逻辑被配置为控制所述外围电路在所述擦除操作期间依次执行施加所述第一擦除电压的操作和施加所述第二擦除电压的操作，

其中，所述多个存储器单元当中的具有多个编程状态的存储器单元在施加所述第一擦除电压的操作期间被擦除为具有预擦除状态。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，被擦除为具有所述预擦除状态的所述存储器单元在施加所述第二擦除电压的操作期间被擦除至目标擦除电平或更小。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述预擦除状态具有大于所述目标擦除电平的阈值电压分布。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一擦除电压的电位电平低于所述第二擦除电压的电位电平。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路执行施加所述第一擦除电压的操作，以使得所述多个编程状态当中的阈值电压分布大于其它编程状态的编程状态的阈值电压分布朝着较低阈值电压移位，以将所述存储器单元擦除为具有所述预擦除状态。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述外围电路包括：

源极线驱动器，该源极线驱动器被配置为向所述源极线依次施加预擦除电压、所述第一擦除电压和所述第二擦除电压；

页缓冲器组，该页缓冲器组联接到所述存储器单元块的位线并且被配置为在所述擦除操作期间控制所述位线处于浮置状态；以及

行解码器，该行解码器联接到所述存储器单元块的局部线，其中，所述行解码器被配置为：

在施加所述第一擦除电压的操作期间以及在施加所述第二擦除电压的操作期间，使所述局部线当中的源极选择线浮置；并且

在施加所述第一擦除电压的操作期间，控制所述局部线当中的处于浮置状态的字线处于接地电压电平。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述行解码器被配置为当所述预擦除电压被施加到所述源极线时，控制所述字线处于所述浮置状态。

8.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述第一擦除电压的电位电平大于所述预擦除电压的电位电平。

9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路在所述擦除操作之后执行擦除验证操作，并且

其中，所述控制逻辑被配置为当所述擦除验证操作的结果被确定为失败时，控制所述外围电路根据增量步进脉冲擦除ISPE方法增加所述第二擦除电压并重新执行施加所述第二擦除电压的操作。

10.一种存储器装置，该存储器装置包括：

存储器单元块，该存储器单元块包括被编程为多个编程状态的多个存储器单元；以及

外围电路，所述外围电路被配置为通过将第一擦除电压和大于所述第一擦除电压的第二擦除电压施加到所述存储器单元块的源极线来通过栅致漏极泄漏GIDL方法执行擦除操作，该擦除操作包括第一擦除电压施加操作和第二擦除电压施加操作，

其中，所述外围电路被配置为在所述第一擦除电压施加操作期间将所述多个存储器单元擦除为具有预擦除状态，并且被配置为在所述第二擦除电压施加操作期间将处于所述预擦除状态的所述多个存储器单元擦除至目标擦除电压电平或更小。

11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，控制逻辑被配置为控制所述外围电路执行所述第一擦除电压施加操作，以使得所述多个编程状态当中的阈值电压分布大于其它编程状态的编程状态的阈值电压分布朝着较低阈值电压移位以将所述存储器单元擦除为具有所述预擦除状态。