[发明专利]存储器装置及其操作方法

说明书

存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括存储器单元块，该存储器单元块包括多个存储器单元。该存储器装置还包括外围电路，所述外围电路被配置为通过将第一擦除电压和第二擦除电压施加到存储器单元块的源极线来通过栅致漏极泄漏GIDL方法执行擦除操作。该存储器装置还包括控制逻辑，该控制逻辑被配置为控制外围电路在擦除操作期间依次执行施加第一擦除电压的操作和施加第二擦除电压的操作，其中，所述多个存储器单元当中的具有多个编程状态的存储器单元在施加第一擦除电压的操作期间被擦除为具有预擦除状态。

技术领域

各种实施方式总体上涉及电子装置，更具体地，涉及一种存储器装置及其操作方法。

背景技术

如今，随着计算机系统几乎随时随地可用，计算无处不在。此外，诸如蜂窝电话、数字相机和膝上型计算机的便携式电子装置的使用也已激增。便携式电子装置通常使用具有存储器装置的存储器系统，即，数据存储装置。数据存储装置用作便携式电子装置的主存储装置或辅助存储装置。

用于便携式电子装置的存储器装置通常具有优异的稳定性和耐久性，因为它们不具有任何移动的机械部件。另外，它们还享有快速的信息存取速度和低功耗。可被具体实现到具有这些优点的存储器系统中的数据存储装置的示例可包括通用串行总线(USB)、具有各种接口的存储卡以及固态驱动器(SSD)。

存储器装置通常被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。非易失性存储器装置以相对低的读写速度操作，但其可在没有电力的情况下保留所存储的数据。因此，非易失性存储器装置可用于存储不管电力的可用性如何均需要存储的数据。非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)和铁电RAM(FRAM)。闪存可被分类为NOR型存储器或NAND型存储器。

发明内容

本公开的各种实施方式提供了一种能够改进擦除阈值电压分布的存储器装置以及操作该存储器装置的方法。

根据实施方式，一种存储器装置可包括存储器单元块，该存储器单元块包括多个存储器单元。该存储器装置可包括外围电路，所述外围电路被配置为通过将第一擦除电压和第二擦除电压施加到存储器单元块的源极线来通过栅致漏极泄漏(GIDL)方法执行擦除操作。该存储器装置还可包括控制逻辑，该控制逻辑被配置为控制外围电路在擦除操作期间依次执行施加第一擦除电压的操作和施加第二擦除电压的操作，其中，所述多个存储器单元当中的具有多个编程状态的存储器单元在施加第一擦除电压的操作期间被擦除为具有预擦除状态。

根据实施方式，一种存储器装置可包括存储器单元块，该存储器单元块包括被编程为多个编程状态的多个存储器单元。该存储器装置还可包括外围电路，所述外围电路被配置为通过将第一擦除电压和大于第一擦除电压的第二擦除电压施加到存储器单元块的源极线来通过栅致漏极泄漏(GIDL)方法执行擦除操作，该擦除操作包括第一擦除电压施加操作和第二擦除电压施加操作，其中，外围电路被配置为在第一擦除电压施加操作期间将所述多个存储器单元擦除为具有预擦除状态，并且被配置为在第二擦除电压施加操作期间将处于预擦除状态的所述多个存储器单元擦除至目标擦除电压电平或更小。

根据实施方式，一种操作存储器装置的方法可包括通过将第一擦除电压施加到包括多个存储器单元的存储器单元块的源极线来将编程为多个编程状态的所述多个存储器单元擦除为具有预擦除状态。该方法还可包括在施加第一擦除电压之后，通过将第二擦除电压施加到源极线来通过栅致漏极泄漏(GIDL)方法擦除所述多个存储器单元，以使得所述多个存储器单元具有目标擦除电压电平或更小的阈值电压。

附图说明

图1是示出根据本公开的实施方式的存储器系统的框图。

图2是示出图1的存储器装置的图。