[发明专利]一种适用于厚铜箔精密线路的制造方法在审
申请号: | 201911143333.9 | 申请日: | 2019-11-20 |
公开(公告)号: | CN112234025A | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 黄春生;杨洁;孙彬;沈洪;李晓华 | 申请(专利权)人: | 江苏上达电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人: | 谢肖雄 |
地址: | 221300 江苏省徐州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适用于 铜箔 精密 线路 制造 方法 | ||
本发明提供一种适用于厚铜箔精密线路的制造方法,涉及精密线路制造技术领域。该适用于厚铜箔精密线路的制造方法,包括以下步骤:S1、首先,在绝缘基材上层压一层厚铜;S2、然后在铜箔上涂布一层光刻胶或辊压一层光刻胶;S3、之后进行曝光、显影处理,去除不需要的光刻胶,得到光刻胶图案;S4、然后使用硫酸双氧水体系的蚀刻液对线路图案进行初次蚀刻,得到线路图案。本发明,初次蚀刻使用的是硫酸双氧水体系的蚀刻液,提高线路蚀刻的速率,二次蚀刻使用盐酸氯化铜体系的蚀刻液,线与线之间的距离很小,且相比较现有技术,减少了能源消耗,制造流程较为简单,减少了企业的制造成本。
技术领域
本发明涉及精密线路制造技术领域,具体为一种适用于厚铜箔精密线路的制造方法。
背景技术
在科技飞速发展的今天,各种智能设备随处可见,小到手表、手环、戒指,打到汽车、飞机、航母。在这些高科技的产品不仅需要各种软件的控制和管理,而且需要在硬件上面需满足他的功能需求。在这些高科技的产物上会容易的发现各种线路板,在线路板上会看到各种各样的图案,这些都是控制他们的开关,一但某一个线路出现问题,最终都会到导致产品的报废。
在一些设备上需要厚铜箔来保证信号的传输,对于厚铜线路,其生产方式主要采用的是加成法和减成法形成线路图案,但是由于采用的基材是厚铜箔,可采用的是加成方法形成线路图案的话,其电镀的铜的厚度较大,成本是很高的,若采用减成的方法进行厚铜线路蚀刻虽然成本很低,但是形成的线路图案的形状无法达到要求。
目前,较为广泛使用的制造方法有两种,第一种:首先在绝缘基材上溅镀一层镍铬的金属层,然后在其表面辊压一层光刻胶,再进行曝光和显影作业去除不需要的光刻胶,得到线路图案,然后对其进行电镀作业,形成线路图案,最后将剩余的光刻胶去除干净,形成厚铜的线路图案,由于采用的是电镀的作业,线路图案的精细化程度相对较高,但是此方案由于采用的是电镀的方法,镀铜的厚度较厚,因此能源消耗是十分巨大的,这会造成制造的成本提高;第二种:首先在绝缘基材上溅镀一层铜或者直接在绝缘基材上层压一层铜箔,然后在铜箔表面辊压一层光刻胶或者采用涂布的方法涂覆一层光刻胶,接下来进行曝光和显影去除不需要的光刻胶得到光刻胶图案,然后,采用电镀的方法在除去光刻胶的位置电镀铜,电镀铜厚根据产品的厚度而定,之后使用碱性的药水去除剩余的光刻胶,得到线路图案,但是由于基材上自带的铜箔的存在,导致线路整板短路,因此使用蚀刻液对线路图案的底层铜箔进行蚀刻,使线路图案成型,此方案先进行电镀,然后再进行蚀刻,最后完成线路成形,所以此方案的制造流程十分复杂,管控十分困难,另外,还需要同时购买蚀刻和电镀的设备,增加了制造的成本。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本发明提供了一种适用于厚铜箔精密线路的制造方法,解决了现有技术中存在的缺陷与不足。
(二)技术方案
为实现以上目的,本发明通过以下技术方案予以实现:一种适用于厚铜箔精密线路的制造方法,包括以下步骤:
S1、首先,在绝缘基材上层压一层厚铜;
S2、然后在铜箔上涂布一层光刻胶或辊压一层光刻胶;
S3、之后进行曝光、显影处理,去除不需要的光刻胶,得到光刻胶图案;
S4、然后使用硫酸双氧水体系的蚀刻液对线路图案进行初次蚀刻,得到线路图案;
S5、当蚀刻进行一段时间后,使用盐酸氯化铜体系的蚀刻液对线路图案进行二次蚀刻,完成线路图案;
S6、然后使用碱性的药水去除剩余的光刻胶,即可得到最终的线路图案;
S7、最后,在线路图案上印刷一层阻焊剂,用以保护线路图案。
优选的,所述铜厚在12μm以上。
(三)有益效果
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造