[发明专利]一种用于芯片倒装的键合工艺设备在审
申请号: | 201911143861.4 | 申请日: | 2019-11-20 |
公开(公告)号: | CN110752173A | 公开(公告)日: | 2020-02-04 |
发明(设计)人: | 狄希远;闫瑛;王雁;景灏;董永谦;吕琴红;孙丽娜;斯迎军;高峰 | 申请(专利权)人: | 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所) |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 14106 山西华炬律师事务所 | 代理人: | 陈奇 |
地址: | 030024 山西*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 吸盘 显微成像 芯片吸盘 基板 成像 相机 反射成像 标记点 重合 反光 平行度检测 俯仰 靶标图像 光线照射 光源组合 基板标记 键合工艺 键合设备 芯片标记 芯片倒装 芯片基板 准确对位 准直光路 偏摆度 平行度 合体 平行 芯片 | ||
本发明公开了一种用于芯片倒装的键合工艺设备,解决了现有键合设备存在的仅对芯片吸盘与基板吸盘进行平行度检测和调整不能确保芯片基板两键合体之间的平行度符合设计要求的问题。本发明通过准直光路,将同一靶标图像,分别在芯片吸盘上的反光成像和在基板吸盘上的反光成像,通过比较两成像是否重合,来调整芯片吸盘的俯仰和偏摆度,来达到两吸盘的平行。本发明将光源组合在显微成像相机中,通过显微成像相机中照出的分别光线照射在芯片标记点和基板标记点,使两标记点反射成像在显微成像相机中,通过调整两标记点反射成像的重合,来实现芯片与基板的准确对位。
技术领域
本发明涉及一种大规模集成电路器件制造设备,特别涉及一种用于芯片倒装的键合工艺设备。
背景技术
芯片倒装焊接设备主要用于大规模集成电路器件制造的倒装焊接工艺,完成芯片与基板的直接互连键合,使封装具有更优越的高频、低延迟、低串扰的电路特性,能有效提高电路、部件或系统的组装互连的可靠性;倒装焊接设备主要有三部分组成:第一部分是设置在大理石基准平台上的电路基板放置台,电路基板放置台可沿X方向的位置调整、沿Y方向的位置调整、沿与X方向和Y方向所组成的平面垂直的θ轴旋转调整;第二部分是设置在大理石基准平台正上方的Z向升降臂机构,在Z向升降臂机构的下端设置有俯仰和偏摆平台,在俯仰和偏摆平台上设置有芯片吸盘,Z向升降臂机构的主要功能是通过下压实现芯片与基板的键合,在键合前,通过俯仰和偏摆的调整实现芯片吸盘与基板吸盘的调平;第三部分是光学系统,光学系统是设置在读出电路基板放置台与Z向升降臂机构之间的,该光学系统主要承担芯片与基板是否对位到位,以及芯片与基板键合的平行度检测;被键合的读出电路基板是放置在XYθ定位平台上的,被键合的芯片是吸附在俯仰和偏摆平台上的,通过调整控制XYθ定位平台的位置,使键合芯片与读出电路基板对位到位,通过调整俯仰和偏摆平台,使读出电路基板与被键合的芯片满足键合的平行度要求,当对位和平行度调整完毕后,Z向升降臂下压,将被键合的芯片与读出电路基板压接键合在一起,从而完成芯片的倒装键合工艺过程。
现有的键合工艺设备设置有光学系统,在光学系统中分别设置有显微系统和激光系统;通过光学系统中的激光系统,对被键合芯片的吸附吸盘与放置读出电路基板的吸盘的平行度进行测定,根据两吸盘的平行度测定结果,通过调整俯仰和偏摆平台,使两吸盘的平行度达到设计的键合平行度的要求;然后,将预键合芯片吸附到芯片吸附吸盘上,将读出电路基板放置到带有反射镜面的读出电路基板吸盘上,启动显微系统,将被吸附在芯片吸附吸盘上的芯片与吸附在基板吸盘上的读出电路基板进行对位,对位完成后,再将Z向升降臂下压,将芯片与读出电路基板通过压接,键合在一起;现有的光学系统,仅仅是完成了芯片吸附吸盘与读出电路基板吸盘的平行度检测和调整,而不是对对被键合的芯片与读出电路基板两键合体的平行度测定与调整,存在芯片与基板键合时,两键合体之间的平行度不能保证符合设计要求的问题,直接影响到了键合完成后电路板的工作性能;另外,现有设备的光学系统中的激光系统和显微系统是分别独立设置的,存在光学系统占用空间大的缺陷。
发明内容
本发明提供了一种用于芯片倒装的键合工艺设备,解决了现有键合设备存在的仅对芯片吸盘与基板吸盘进行平行度检测和调整不能确保芯片基板两键合体之间的平行度符合设计要求的技术问题。
本发明是通过以下技术方案解决以上技术问题的:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造