[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201911145477.8 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN111029321A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 张嘉碧;王尧;马书英;王姣;于大全 | 申请（专利权）人： | 华天科技（昆山）电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/48 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：
第一基片、
设置于所述第一基片上的第二基片、
设置于所述第二基片上的焊盘、
连接至所述焊盘上的金属线路层；
所述第一基片上开设有连通至所述焊盘上的阶梯孔，所述金属线路层与焊盘之间还设置有绝缘层，所述绝缘层设置于所述阶梯孔中底部的拐角位置。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一基片为硅片，所述第二基片为玻璃片。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一基片与第二基片通过粘胶相连接。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述绝缘层为沉积方式形成的SiO2层或者Si3N4层。
5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体装置的制造方法包括：
在第一基片上制作出与焊盘部分区域相对应的第一直孔，且该第一直孔的孔底与其相对焊盘保留有间距；
在制作的所述第一直孔的孔底继续制作连通至所述焊盘的第二直孔；
在所述第一基片上沉积绝缘层，并去掉焊盘中间区域上沉积的绝缘层，而保留所述第二直孔的孔底拐角位置处的沉积层；
制作连接至所述焊盘上的金属线路层。
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一基片为硅片，所述第二基片为玻璃片。
7.根据权利要求5或6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一基片与第二基片通过粘胶相连接。
8.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述绝缘层为SiO2层或者Si3N4层。
9.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，通过刻蚀方式制作所述第一直孔和第二直孔，以及去掉焊盘中间区域上沉积的绝缘层。
10.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体装置的制造方法还包括：对所述第一直孔和第二直孔内进行钝化填充，并预留焊接区域，在预留的焊接区域设置焊球。
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