[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其中，所述半导体装置包括：第一基片、设置于所述第一基片上的第二基片、设置于所述第二基片上的焊盘、连接至所述焊盘上的金属线路层；所述第一基片上开设有连通至所述焊盘上的阶梯孔，所述金属线路层与焊盘之间还设置有绝缘层，所述绝缘层设置于所述阶梯孔中底部的拐角位置。本发明的半导体装置通过两部开孔的方式，形成连通焊盘的阶梯孔，该阶梯孔有利于在阶梯孔中底部的拐角位置形成较厚的绝缘层，进而对于减少焊盘压力，降低金属线路层断线风险有明显优势，可以缓解金属线路层对焊盘的拉扯应力。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体装置及其制造方法。

背景技术

目前，对于半导体装置而言，在其传统直孔工艺中，存在对焊盘应力过大的问题。此外，由于产品自身的结构特征，还容易导致与焊盘相连接的金属线路层的断线的问题。因此，针对上述问题，有必要提出进一步的解决方案。

发明内容

本发明旨在提供一种半导体装置及其制造方法，以克服现有技术中存在的不足。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：

一种半导体装置，其包括：

第一基片、

设置于所述第一基片上的第二基片、

设置于所述第二基片上的焊盘、

连接至所述焊盘上的金属线路层；

所述第一基片上开设有连通至所述焊盘上的阶梯孔，所述金属线路层与焊盘之间还设置有绝缘层，所述绝缘层设置于所述阶梯孔中底部的拐角位置。

作为本发明的半导体装置的改进，所述第一基片为硅片，所述第二基片为玻璃片。

作为本发明的半导体装置的改进，所述第一基片与第二基片通过粘胶相连接。

作为本发明的半导体装置的改进，所述绝缘层为沉积方式形成的SiO₂层或者Si₃N₄层。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：

一种半导体装置的制造方法，其包括：

在第一基片上制作出与焊盘部分区域相对应的第一直孔，且该第一直孔的孔底与其相对焊盘保留有间距；

在制作的所述第一直孔的孔底继续制作连通至所述焊盘的第二直孔；

在所述第一基片上沉积绝缘层，并去掉焊盘中间区域上沉积的绝缘层，而保留所述第二直孔的孔底拐角位置处的沉积层；

制作连接至所述焊盘上的金属线路层。

作为本发明的半导体装置的制造方法的改进，所述第一基片为硅片，所述第二基片为玻璃片。

作为本发明的半导体装置的制造方法的改进，所述第一基片与第二基片通过粘胶相连接。

作为本发明的半导体装置的制造方法的改进，所述绝缘层为SiO₂层或者 Si₃N₄层。

作为本发明的半导体装置的制造方法的改进，通过刻蚀方式制作所述第一直孔和第二直孔，以及去掉焊盘中间区域上沉积的绝缘层。

作为本发明的半导体装置的制造方法的改进，所述半导体装置的制造方法还包括：对所述第一直孔和第二直孔内进行钝化填充，并预留焊接区域，在预留的焊接区域设置焊球。