[发明专利]光学构件及光学构件的制造方法在审
| 申请号： | 201911146331.5 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN111221057A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 能势正章 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡美能达株式会社 |
| 主分类号： | G02B1/115 | 分类号： | G02B1/115 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光学 构件 制造 方法 | ||
1.一种光学构件，是在基板上具有电介质多层膜的光学构件，其特征在于，
最上层的正下层为含有SiO2、MgF2或Al2O3中的任一者的层、或者包含这些材料的混合物含有层，且
最上层为以SiO2作为主成分、至少含有Cr或Ti中的任一种元素的金属氧化物层。
2.根据权利要求1所述的光学构件，其特征在于，所述最上层中含有的所述Cr的含量为大于0.3at％且不到2.3at％的范围。
3.根据权利要求1所述的光学构件，其特征在于，所述最上层中含有的所述Ti的含量为大于0.2at％且不到0.8at％的范围。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的光学构件，其特征在于，所述最上层中含有的Si的含量为大于9at％且不到31at％的范围。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的光学构件，其特征在于，所述最上层的层厚为15nm以下。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的光学构件，其特征在于，所述最上层的对于光波长587.56nm的折射率为1.6以下。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的光学构件，其特征在于，在所述正下层的更下层侧具有含有TiO2的层。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的光学构件，其特征在于，在光波长420～680nm的范围中，对于从法线方向的光入射的分光反射率为平均2％以下。
9.一种光学构件的制造方法，是制造权利要求1-8中任一项所述的光学构件的光学构件的制造方法，其特征在于，
使用离子辅助沉积法的离子源作为溅射源来形成所述最上层。
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