[发明专利]成膜方法及成膜装置在审
| 申请号： | 201911146340.4 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN111218659A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 能势正章 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡美能达株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/46 | 分类号： | C23C14/46;C23C14/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 方法 装置 | ||
1.一种成膜方法，是在基板上通过从离子源所照射的离子束来进行溅射成膜的成膜方法，其特征在于，
在所述基板与所述离子源之间配置溅射靶，对该溅射靶的与所述基板对置的面的相反侧的面通过离子束来溅射，在该基板上成膜。
2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，所述溅射成膜产生的成膜速度为10pm/秒以下。
3.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，所述离子源为离子辅助沉积法中所使用的离子源。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的成膜方法，其特征在于，在所述基板上通过使用所述离子源的离子辅助沉积法，将基底膜预先成膜，接着，在该基底膜上通过从所述离子源所照射的离子束来进行溅射成膜。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的成膜方法，其特征在于，通过所述溅射成膜，形成膜厚15nm以下的薄膜。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的成膜方法，其特征在于，使用距离、大小或角度中的至少一者不同的多个溅射靶来同时进行溅射成膜。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的成膜方法，其特征在于，一边使所述溅射靶旋转一边进行溅射成膜。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的成膜方法，其特征在于，一边提升所述溅射靶一边进行溅射成膜。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的成膜方法，其特征在于，所述溅射靶的被溅射的面具有金属面和玻璃面。
10.根据权利要求9所述的成膜方法，其特征在于，所述金属面包含Ti、Cr、Ni或Al中的任一种元素。
11.根据权利要求9所述的成膜方法，其特征在于，所述玻璃面以SiO2作为主成分，包含Ta、Zr或Na中的任一种元素。
12.一种成膜装置，是在权利要求1至权利要求11中任一项所述的成膜方法中使用的成膜装置，其特征在于，
在所述基板与所述离子源之间具有能够以期望的时机来配置所述溅射靶的手段，对于该被配置的溅射靶的与所述基板对置的面的相反侧的面，通过从所述离子源所照射的离子束来进行溅射，在该基板上成膜。
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