[发明专利]电容阵列及其制备方法和半导体存储结构

权利要求书

1.一种电容阵列制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上形成牺牲层和覆盖所述牺牲层的格架结构层；

刻蚀所述格架结构层和所述牺牲层，形成暴露出所述衬底的电容孔阵列；

在所述电容孔的内壁形成下电极层；

刻蚀所述格架结构层形成开口，通过所述开口去除所述牺牲层，并在部分开口处形成切割槽，所述切割槽将所述电容孔阵列切割为至少两个子区域并切断各所述子区域之间的格架结构层的连接；

在所述电容孔内形成电容介质层和上电极层，所述上电极层通过所述电容介质层与所述下电极层隔离；

所述刻蚀所述格架结构层形成开口，包括：

提供掩膜板，所述掩膜板具有将所述掩膜板划分为多个子区域的切割槽图案和位于所述各子区域内的网孔图案；

在所述格架结构层上形成掩膜层，利用所述掩膜板对所述掩膜层进行光刻，在所述掩膜层上对应所述切割槽图案和所述网孔图案的区域形成刻蚀窗口；

通过所述刻蚀窗口刻蚀所述格架结构层，形成所述开口。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述切割槽图案呈直线型。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述切割槽图案呈波浪型以使形成的所述切割槽绕过所述电容孔的中心。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述切割槽图案的波浪拐角角度范围为70°～140°。

5.如权利要求1至4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述各子区域的覆盖面积小于或等于所述电容孔阵列覆盖面积的一半。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，不同方向的所述切割槽呈十字型或T字型相交，以对所述电容孔阵列进行十字型或T字型切割。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，各所述子区域的形状为矩形、菱形和六边形中的任一种。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底上形成有多层牺牲层和夹设于相邻牺牲层之间的支撑埋层和覆盖于最上层牺牲层上的支撑顶层，所述格架结构层包括所述支撑埋层和所述支撑顶层中的一层或多层。

9.一种电容阵列，其特征在于，包括：

衬底；

格架结构层，形成于所述衬底上，所述格架结构层与所述衬底间隔设置；

电容孔阵列，穿透所述格架结构层并延伸至所述衬底；

填充结构，形成于所述电容孔内，包括下电极层、电容介质层和上电极层，其中，所述下电极层形成于所述电容孔的内壁上并与所述衬底接触，所述上电极层通过所述电容介质层与所述下电极层隔离；

切割槽，穿透所述格架结构层，所述切割槽将所述电容孔阵列切割为至少两个子区域并切断各所述子区域之间的格架结构层的连接。

10.如权利要求9所述的电容阵列，其特征在于，所述切割槽的侧壁投影呈波浪型且所述切割槽未经过所述电容孔的中心。

11.如权利要求9所述的电容阵列，其特征在于，所述各子区域的覆盖面积小于或等于所述电容孔阵列覆盖面积的一半。

12.如权利要求9至11任一项所述的电容阵列，其特征在于，所述格架结构层包括依次向上间隔设置的支撑埋层和支撑顶层中的一层或多层。

13.一种半导体存储结构，其特征在于，包括权利要求9至12任一项所述的电容阵列。