[发明专利]导电性薄膜的制造方法有效

专利信息
申请号: 201911147533.1 申请日: 2019-11-21
公开(公告)号: CN111210944B 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 竹安智宏;鹰尾宽行;西岛仁志 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B5/14
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 导电性 薄膜 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种导电性薄膜的制造方法,其特征在于,具备下述工序:

准备层叠体的准备工序,所述层叠体具备:依次具备透明基材、第1透明导电层及第1金属层的中间薄膜、和配置于所述中间薄膜的载体薄膜;及

去除工序,对所述第1金属层实施干洗处理而去除源自所述载体薄膜的成分,

所述准备工序包括在准备所述层叠体后从所述层叠体将所述载体薄膜剥离的工序,

所述干洗处理为不使液体、固体接触所述中间薄膜地对所述中间薄膜实施放电、气体放出的处理。

2.根据权利要求1所述的导电性薄膜的制造方法,其特征在于,所述干洗处理为等离子体处理或电晕处理。

3.根据权利要求1所述的导电性薄膜的制造方法,其特征在于,所述去除工序后的所述第1金属层的水接触角为90度以下。

4.根据权利要求1所述的导电性薄膜的制造方法,其特征在于,

所述第1金属层的材料为铜;或铜与选自镍、铬、铁、钛中的至少一者的合金,

所述去除工序后,所述第1金属层的上表面满足下述(1)~(3)中至少1个要件,

(1)C15H23O+相对于Cu+的相对强度为7.8×10-2以下,

(2)C6H13+相对于Cu+的相对强度为6.1×10-3以下,

(3)C18H35O2-相对于Cu-的相对强度为4.3×10-2以下。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的导电性薄膜的制造方法,其特征在于,所述准备工序依次具备下述工序:

在所述透明基材的厚度方向一侧依次配置所述第1透明导电层及所述第1金属层的工序;

在所述第1金属层的厚度方向一侧配置所述载体薄膜的工序;

在所述透明基材的厚度方向另一侧依次配置第2透明导电层及第2金属层的工序;以及

将所述载体薄膜去除的工序。

6.根据权利要求1~4中任一项所述的导电性薄膜的制造方法,其特征在于,所述准备工序依次具备下述工序:

在所述透明基材的厚度方向另一侧配置所述载体薄膜的工序;以及

在所述透明基材的厚度方向一侧依次配置第1透明导电层及第1金属层的工序。

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