[发明专利]应用于浮动高压的电阻绝对值校准电路

权利要求书

1.应用于浮动高压的电阻绝对值校准电路，包括与不可调电阻R1并联接入浮动高压两电极INA、INB之间的Rc可调电阻，其特征在于：所述Rc可调电阻由粗调电阻阵列和精调电阻阵列构成，其中粗调电阻阵列为由N个第一类电阻并联构成的N bits电阻阵列DAC，精调电阻阵列为由M个第二类电阻并联构成的M bits电阻阵列DAC， N为6以上的自然数，M为3以上的自然数，每条并联支路设有切换本路电阻切入、切开的开关，所述开关由一对NMOS的开关管并联相接构成，其中开关管S1和开关管S2的共漏极接入第一类电阻或第二类电阻，并顺次接入浮动高压的电极INA，开关管S1的源极接入浮动高压的电极INB，开关管S2的源极接为节点INC，且开关管S1的栅极控制端VCB、开关管S2的栅极控制端VCC及节点INC一并接入压控模组；所述节点INC的电压受控满足低于电极INB的电压，且压差介于0.5V~0.7V，所述栅极控制端VCB、VCC为由VC逻辑电平转换构成的浮动电压控制区间，其中U_VCB-U_INB=3V、U_INB-U_VCC=0.5V。

2.根据权利要求1所述应用于浮动高压的电阻绝对值校准电路，其特征在于：N=9，所述粗调电阻阵列由第一类电阻Rc1、Rc2、Rc3、Rc4、Rc5、Rc6、Rc7、Rc8、Rc9并联构成，且各个第一类电阻的阻值成倍递增。

3.根据权利要求1所述应用于浮动高压的电阻绝对值校准电路，其特征在于：M=5，所述精调电阻阵列由第二类电阻Rf1、Rf2、Rf3、Rf4、Rf5并联构成，且各个第二类电阻的阻值成倍递增。

4.根据权利要求1所述应用于浮动高压的电阻绝对值校准电路，其特征在于：所述开关管S1、S2为5V器件。