[发明专利]沉积膜的致密性的表征方法及电池片的制造方法

权利要求书

1.一种沉积膜的致密性的表征方法，其特征在于，用于评价电池片上沉积的减反射层的致密性，所述表征方法包括如下步骤：

步骤S1，提供测试片，所述测试片的正面的面积为S，且质量为M；

步骤S2，在所述测试片上沉积所述沉积膜，测定所述沉积膜的厚度d，且沉积有所述沉积膜的测试片的质量M’；

步骤S3，基于所述面积S以及所述厚度d，得到所述沉积膜的体积为V，并基于所述质量M以及M’，得到所述沉积膜的质量⊿M；

步骤S4，根据所述沉积膜的质量⊿M与所述沉积膜的体积为V，得到所述沉积膜的密度ρ，基于所述密度ρ评价所述沉积膜的致密性。

2.根据权利要求1所述的沉积膜的致密性的表征方法，其特征在于，所述步骤S2中，测定所述测试片上的沉积膜的多个点的厚度并以其平均值作为所述沉积膜的厚度d。

3.根据权利要求1或2所述的沉积膜的致密性的表征方法，其特征在于，使用多个所述测试片，并分别以相同的条件沉积所述沉积膜且求得该多个所述测试片上的沉积膜的密度的平均值作为所述密度ρ。

4.根据权利要求2所述的沉积膜的致密性的表征方法，其特征在于，所述步骤S2中测定所述测试片上的沉积膜的2-10个点的厚度。

5.根据权利要求3所述的沉积膜的致密性的表征方法，其特征在于，使用的所述测试片的个数为2-10个。

6.根据权利要求1所述的沉积膜的致密性的表征方法，其特征在于，所述测试片为硅片或玻璃片或金属片。

7.根据权利要求1所述的沉积膜的致密性的表征方法，其特征在于，所述测试片的正面为抛光面。

8.根据权利要求1所述的沉积膜的致密性的表征方法，其特征在于，所述沉积膜为氮化硅膜。

9.根据权利要求1所述的沉积膜的致密性的表征方法，其特征在于，所述步骤S2中，使用椭偏仪测定所述沉积膜的厚度d。

10.一种电池片的制造方法，其特征在于，包括形成沉积膜步骤，所述形成沉积膜步骤中根据权利要求1至9任一项所述的沉积膜的致密性的表征方法确定所形成的沉积膜的密度，并将所述沉积膜的密度ρ与基准密度ρ_基进行比较，当ρ小于基准密度ρ_基，则对所述沉积膜的沉积工艺进行调整，如果沉积膜的密度ρ大于等于基准密度ρ_基，则不对所述沉积膜的沉积工艺进行调整。