[发明专利]沉积膜的致密性的表征方法及电池片的制造方法

说明书

本发明涉及沉积膜的致密性的表征方法及电池片的制造方法，其中，表征方法包括如下步骤：步骤S1，提供测试片，测试片的正面的面积为S，且质量为M；步骤S2，在测试片上沉积沉积膜，测定沉积膜的厚度d，且沉积有沉积膜的测试片的质量M’；步骤S3，基于面积S以及厚度d，得到沉积膜的体积为V，并基于质量M以及M’，得到沉积膜的质量⊿M；步骤S4，根据沉积膜的质量⊿M与沉积膜的体积为V，得到沉积膜的密度ρ，基于密度ρ评价沉积膜的致密性。该表征方法用于评价电池片上沉积的减反射层的致密性，避免了使用化学溶液，从而保证了操作的安全，降低了电池片上沉积的减反射层的致密性的评价的成本，且大大提高了减反射层的致密性的评价的效率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种沉积膜的致密性的表征方法及电池片的制造方法。

背景技术

当太阳光照射到电池片表面时会有部分光被反射，造成较大光损失，所以需要在硅片表面沉积减反射层来达到减反射的目的，通常使用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)在硅片的表面沉积氮化硅膜，它含有Si、N、H三种元素，既可以起到减反射的作用，也可以达到表面钝化的作用。

电位诱导衰减的发生，主要的原因为Na离子迁移进入到电池片内部，导致电池片的电性能发生大幅度衰减，其预防方法有：a.光伏组件通过增加封装胶膜等封装材料的电阻率，降低漏电流，减缓Na离子迁移的速度；b.电池片通过提高硅片表面的氮化硅膜的折射率，以提升氮化硅膜的阻隔性能，来减少Na离子等金属离子迁移到电池片内部的数目，来达到光伏组件的抗电位诱导衰减性能。

所以，控制好减反射层氮化硅膜的质量至关重要，其中，减反射层的致密性的好坏直接影响着减反射的质量，如何快速准确评价减反射层的致密性也变得尤为重要。

目前，常用的评价减反射层的致密性的方法为化学腐蚀法，然而化学腐蚀法需要使用到强腐蚀性的酸性溶液，操作具有一定危险性，且消耗大量的酸性溶液，成本较高。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明的一个目的在于提供一种沉积膜的致密性的表征方法，该表征方法用于评价电池片上沉积的减反射层的致密性，避免了使用化学溶液，从而保证了操作的安全，降低了电池片上沉积的减反射层的致密性的评价的成本，且大大提高了减反射层的致密性的评价的效率。

本发明的另一个目的在于提供一种包括上述沉积膜的致密性的表征方法的电池片的制造方法。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

根据本发明第一方面实施例的沉积膜的致密性的表征方法，包括如下步骤：

步骤S1，提供测试片，所述测试片的正面的面积为S，且质量为M；

步骤S2，在所述测试片上沉积所述沉积膜，测定所述沉积膜的厚度d，且沉积有所述沉积膜的测试片的质量M’；

步骤S3，基于所述面积S以及所述厚度d，得到所述沉积膜的体积为V，并基于所述质量M以及M’，得到所述沉积膜的质量⊿M；

步骤S4，根据所述沉积膜的质量⊿M与所述沉积膜的体积为V，得到所述沉积膜的密度ρ，基于所述密度ρ评价所述沉积膜的致密性。

优选地，所述步骤S2中，测定所述测试片上的沉积膜的多个点的厚度并以其平均值作为所述沉积膜的厚度d。

优选地，使用多个所述测试片，并分别以相同的条件沉积所述沉积膜且求得该多个所述测试片上的沉积膜的密度的平均值作为所述密度ρ。

优选地，所述步骤S2中测定所述测试片上的沉积膜的2-10个点的厚度。

优选地，使用的所述测试片的个数为2-10个。

优选地，所述测试片为硅片或玻璃片或金属片。