[发明专利]显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种显示装置的制造方法，所述方法包括：

在基础衬底上形成非晶硅层；

用杂质掺杂所述非晶硅层；

通过用准分子激光器照射掺杂的所述非晶硅层来形成晶体硅层；

对所述晶体硅层进行图案化；以及

在所述晶体硅层中形成源区和漏区，以形成包括所述源区、所述漏区和位于所述源区与所述漏区之间的沟道区的有源图案，

其中，所述沟道区包括下部、上部和位于所述上部与所述下部之间的中间部，并且所述下部的掺杂剂密度为所述上部的掺杂剂密度的80％或更多。

2.如权利要求1所述的方法，其中，在掺杂所述非晶硅层时，所述有源图案的所述沟道区的掺杂剂包括硼、磷、氮、镍和钴中的一种或更多种。

3.如权利要求2所述的方法，其中，在掺杂所述非晶硅层时，所述掺杂剂的剂量为0.4E12 at/cm²至1.5E12 at/cm²。

4.如权利要求2所述的方法，其中，所述晶体硅层满足下式1：

式1

Y＝-0.075X+1.018nm

其中，Y是单位为纳米的在所述掺杂剂的量的最大峰值处距所述晶体硅层的上表面的深度，并且X是单位为J/cm²的所述准分子激光器的激光密度。

5.如权利要求2所述的方法，其中，在形成所述有源图案时，掺杂的所述晶体硅层的所述源区和所述漏区还掺杂有杂质以增加所述源区和所述漏区的导电性。

6.如权利要求5所述的方法，其中，在形成所述有源图案时用于形成所述源区和所述漏区的剂量大于在掺杂所述非晶硅层时的剂量。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述有源图案的所述沟道区的平均粒度为270nm或更大。

8.如权利要求1所述的方法，其中，根据所述有源图案的所述沟道区的电子背散射衍射结果，(001)方向的分数为33％或更大。

9.如权利要求1所述的方法，还包括：

在对所述晶体硅层进行图案化之后，在图案化的所述晶体硅层上形成栅极绝缘层；以及

在所述栅极绝缘层上形成栅电极，

其中，在形成所述有源图案时，将杂质掺杂到布置有所述栅电极的所述晶体硅层中以形成所述源区和所述漏区。

10.一种显示装置，包括：

基础衬底；

有源图案，所述有源图案位于所述基础衬底上，包括源区、漏区和掺杂在所述源区与所述漏区之间的沟道区，所述沟道区包括晶体硅；以及

栅电极，所述栅电极与所述有源图案的所述沟道区重叠，

其中，所述沟道区包括下部、上部和位于所述上部与所述下部之间的中间部，并且所述下部的掺杂剂密度为所述上部的掺杂剂密度的80％或更多。