[发明专利]显示装置及其制造方法

说明书

公开了显示装置及其制造方法。显示装置包括基础衬底、有源图案和栅电极，位于基础衬底上的有源图案包括源区、漏区和掺杂在源区与漏区之间的沟道区，沟道区包括晶体硅，并且栅电极与有源图案的沟道区重叠。沟道区可包括下部、上部和位于上部与下部之间的中间部，并且下部的掺杂剂密度可为上部的掺杂剂密度的80％或更多。

技术领域

示例实施方式涉及显示装置和显示装置的制造方法。

背景技术

近来，已制造出重量轻且尺寸小的显示装置。阴极射线管(CRT)显示装置已经因性能和有竞争力的价格而被使用。然而，CRT显示装置具有尺寸或便携性的弱点。因此，诸如等离子显示装置、液晶显示装置和有机发光显示装置的显示装置已经因尺寸小、重量轻和功耗低而备受推崇。

发明内容

实施方式涉及显示装置，包括基础衬底、有源图案和栅电极，位于基础衬底上的有源图案包括源区、漏区和掺杂在源区与漏区之间的沟道区，沟道区包括晶体硅，并且栅电极与有源图案的沟道区重叠。沟道区可包括下部、上部和位于上部与下部之间的中间部，并且下部的掺杂剂密度可为上部的掺杂剂密度的80％或更多。

上部可为有源图案的1/3厚度，并且下部可为有源图案的1/3厚度。

有源图案的沟道区的掺杂剂可包括硼、磷、氮、镍和钴中的一种或更多种。

有源图案的沟道区的平均粒度可为270nm或更大。

根据有源图案的沟道区的电子背散射衍射结果，(001)方向的分数可为33％或更大。

显示装置还可包括栅极绝缘层、层间绝缘层、源电极和漏电极，栅极绝缘层位于有源图案与栅电极之间，层间绝缘层位于栅电极上，并且源电极和漏电极位于层间绝缘层上并且电连接到有源图案。

显示装置还可包括通孔绝缘层、第一电极、发光层和第二电极，通孔绝缘层位于源电极和漏电极上，第一电极位于通孔绝缘层上并且电连接到漏电极，发光层位于第一电极上，并且第二电极位于发光层上。

实施方式也涉及显示装置的制造方法，该方法包括：在基础衬底上形成非晶硅层；用杂质掺杂非晶硅层；通过用准分子激光器照射掺杂的非晶硅层来形成晶体硅层；对晶体硅层进行图案化；以及在晶体硅层中形成源区和漏区，以形成包括源区、漏区和位于源区与漏区之间的沟道区的有源图案。沟道区可包括下部、上部和位于上部与下部之间的中间部，并且下部的掺杂剂密度可为上部的掺杂剂密度的80％或更多。

在掺杂非晶硅层时，有源图案的沟道区的掺杂剂可包括硼、磷、氮、镍和钴中的一种或更多种。

在掺杂非晶硅层时，掺杂剂的剂量可为0.4E12 at/cm²至1.5E12 at/cm²。

晶体硅层可满足下式1：

式1

Y＝-0.075X+1.018nm

其中，Y是单位为纳米的在掺杂剂的量的最大峰值处距晶体硅层的上表面的深度，并且X是单位为J/cm²的准分子激光器的激光密度。

在形成有源图案时，掺杂的晶体硅层的源区和漏区还可掺杂有杂质以增加源区和漏区的导电性。

在形成有源图案时用于形成源区和漏区的剂量可大于在掺杂非晶硅层时的剂量。

有源图案的沟道区的平均粒度可为270nm或更大。

根据有源图案的沟道区的电子背散射衍射结果，(001)方向的分数可为33％或更大。

该方法还可包括：在对晶体硅层进行图案化之后，在图案化的晶体硅层上形成栅极绝缘层；以及在栅极绝缘层上形成栅电极。在形成有源图案时，杂质可掺杂到布置有栅电极的晶体硅层中以形成源区和漏区。