[发明专利]一种门磁低功耗控制电路及控制方法

权利要求书

1.一种门磁低功耗控制电路，包括门磁开关S100和NBIOT数据传输控制芯片U100，其特征在于：所述的NBIOT数据传输控制芯片U100的型号为MT2625，在门磁开关S100与NBIOT数据传输控制芯片U100之间连接有对门磁开关S100的信号进行翻转的翻转电路，所述翻转电路包括第一P沟道场效应管Q108、第二N沟道场效应管Q109、第一电阻R111和第二电阻R112，所述的第一P沟道场效应管Q108的G脚连接门磁开关S100的一端，门磁开关S100的另一端通过第三电阻R102连接接地端GND，所述的第一P沟道场效应管Q108的D脚连接第二N沟道场效应管Q109的D脚，所述的第一P沟道场效应管Q108的S脚通过第一电阻R111连接NBIOT数据传输控制芯片U100的1脚VCC供电端，第二N沟道场效应管Q109的S脚通过第二电阻R112连接接地端GND，所述的第一P沟道场效应管Q108的D脚与第二N沟道场效应管Q109的D脚的公共端作为门磁检测引脚SENSOR_REED，且所述的第一P沟道场效应管Q108的D脚与第二N沟道场效应管Q109的D脚的公共端连接NBIOT数据传输控制芯片U100的18脚时作为唤醒NBIOT数据传输控制芯片U100的唤醒脚SENSOR_REED1，所述的第一P沟道场效应管Q108的G脚还与第二N沟道场效应管Q109的G脚连接，所述的第一P沟道场效应管Q108的G脚通过第四电阻R101连接NBIOT数据传输控制芯片U100的1脚VCC供电端,NBIOT数据传输控制芯片U100的5脚与第二N沟道场效应管Q109的D脚相连接作为NBIOT数据传输控制芯片U100的二次唤醒脚SENSOR_REED12。

2.根据权利要求1所述的一种门磁低功耗控制电路，其特征在于：所述NBIOT数据传输控制芯片U100的18脚通过第五电阻R123与VCC供电端连接，所述NBIOT数据传输控制芯片U100的18脚通过第六电阻R180连接第二N沟道场效应管Q109的D脚，第一P沟道场效应管Q108的D脚与第二N沟道场效应管Q109的S脚的公共端所述NBIOT数据传输控制芯片U100的18脚还通过第一二极管D125、第二二极管D188与NBIOT数据传输控制芯片U100的6脚连接，所述NBIOT数据传输控制芯片U100的5脚通过第三二极管D107连接第二N沟道场效应管Q109的D脚，第三二极管D107的正极与NBIOT数据传输控制芯片U100的5脚连接。

3.一种门磁低功耗控制电路的控制方法，包括采用权利要求1所述的一种门磁低功耗控制电路，其特征在于，具体包括以下步骤：

当门磁开关S100未检测到磁铁，即门磁开关S100处于常开状态，此时第一P沟道场效应管Q108的G脚是高电平，此时第一P沟道场效应管Q108处于截止状态，第二N沟道场效应管Q109处于导通状态，此时门磁开关S100的门磁检测引脚处于低电平，同时我们将NBIOT数据传输控制芯片U100的18脚设置成下拉状态，NBIOT数据传输控制芯片U100的5脚设置为输入检测状态；

此时，当门磁开关S100由常开变为闭合时，此时第一P沟道场效应管Q108的G脚由高电平变为低电平，此时第一P沟道场效应管Q108由截止状态变为导通状态，第二N沟道场效应管Q109由导通状态变为截止状态，此时唤醒脚SENSOR_REED1由低电平变为高电平，即NBIOT唤醒引脚检测到电平变化，从而唤醒，同步检测NBIOT数据传输控制芯片U100的5脚进行二次确认，是否为高电平，增加门磁开关S100状态检测可靠性，状态检测完成之后，将NBIOT数据传输控制芯片U100的18脚设置成上拉状态；

此时，当门磁开关S100由常闭合状态变为打开时，此时第一P沟道场效应管Q108的G脚由低电平变为高电平，此时第一P沟道场效应管Q108由导通状态变为截止状态，第二N沟道场效应管Q109由截止状态变为导通状态，此时SENSOR_REED由高电平变为低电平，即NBIOT唤醒引脚检测到电平变化，从而唤醒，同步检测NBIOT数据传输控制芯片U100的5脚进行二次确认，判断是否为低电平，最终增加门磁开关S100状态检测可靠性，状态检测完成之后，将NBIOT数据传输控制芯片U100的18脚设置成下拉状态。