[发明专利]一种门磁低功耗控制电路及控制方法

说明书

本发明公开了一种门磁低功耗控制电路及控制方法，包括门磁开关和NBIOT数据传输控制芯片，在门磁开关与NBIOT数据传输控制芯片之间连接翻转电路，翻转电路包括第一场效应管、第二N沟道场效应管，第一场效应管G脚连接门磁开关一端，门磁开关另一端通过第三电阻R102连接接地端，第一场效应管D脚连接第二N沟道场效应管D脚，第一场效应管S脚通过第一电阻连接NBIOT数据传输控制芯片1脚，第二N沟道场效应管S脚通过第二电阻连接接地端，第一场效应管D脚与第二N沟道场效应管D脚的公共端连接NBIOT数据传输控制芯片18脚，第一场效应管G脚还与第二N沟道场效应管G脚连接。本发明实现低功耗。

技术领域

本发明涉及一种低功耗休眠的技术领域，特别是一种门磁低功耗控制电路及控制方法。

背景技术

NBIOT有其特有的PSM低功耗休眠状态，整个功耗会低至3uA左右，为了追求低功耗，NBIOT模块上只有1个接口是在PSM状态下可以控制用来被唤醒的，而且他必须要检测到电平变化之后才能被唤醒，其余接口都是悬空不可控制状态，但是门磁的话，他会有两种状态，常开或者常闭，我们需要通过设计实现常开-闭合和常闭-打开这两种状态都可以通过这一个接口去唤醒NBIOT这个模块，而且需要实现整个产品不管处于常开状态或者是常闭状态，功耗都需要很低，而且系统都可以进入PSM状态-即低功耗的状态。

发明内容

本发明的目的是为了解决上述现有技术的不足而提供一种提高充电速度的一种门磁低功耗控制电路及控制方法。

为了实现上述目的，本发明所设计的一种门磁低功耗控制电路，包括门磁开关S100和NBIOT数据传输控制芯片U100，在门磁开关S100与NBIOT数据传输控制芯片U100之间连接有对门磁开关S100的信号进行翻转的翻转电路，所述翻转电路包括第一P沟道场效应管Q108、第二N沟道场效应管Q109、第一电阻R111和第二电阻R112，所述的第一P沟道场效应管Q108的G脚连接门磁开关S100的一端，门磁开关S100的另一端通过第三电阻R102连接接地端GND，所述的第一P沟道场效应管Q108的D脚连接第二N沟道场效应管Q109的D脚，所述的第一P沟道场效应管Q108的S脚通过第一电阻R111连接NBIOT数据传输控制芯片U100的1脚VCC供电端，第二N沟道场效应管Q109的S脚通过第二电阻R112连接接地端GND，所述的第一P沟道场效应管Q108的D脚与第二N沟道场效应管Q109的D脚的公共端作为门磁检测引脚SENSOR_REED，且所述的第一P沟道场效应管Q108的D脚与第二N沟道场效应管Q109的D脚的公共端连接NBIOT数据传输控制芯片U100的18脚时作为唤醒NBIOT数据传输控制芯片U100的唤醒脚SENSOR_REED1，所述的第一P沟道场效应管Q108的G脚还与第二N沟道场效应管Q109的G脚连接，所述的第一P沟道场效应管Q108的G脚通过第四电阻R101连接NBIOT数据传输控制芯片U100的1脚VCC供电端,NBIOT数据传输控制芯片U100的5脚与第二N沟道场效应管Q109的D脚相连接作为NBIOT数据传输控制芯片U100的二次唤醒脚SENSOR_REED12。

进一步，为了使电路更稳定，所述NBIOT数据传输控制芯片U100的18脚通过第五电阻R123与VCC供电端连接，所述NBIOT数据传输控制芯片U100的18脚通过第六电阻R180连接第二N沟道场效应管Q109的D脚，第一P沟道场效应管Q108的D脚与第二N沟道场效应管Q109的S脚的公共端所述NBIOT数据传输控制芯片U100的18脚还通过第一二极管D125、第二二极管D188与NBIOT数据传输控制芯片U100的6脚连接，所述NBIOT数据传输控制芯片U100的5脚通过第三二极管D107连接第二N沟道场效应管Q109的D脚，第三二极管D107的正极与NBIOT数据传输控制芯片U100的5脚连接。

进一步，所述的NBIOT数据传输控制芯片U100的型号为MT2625。

本发明还公开了一种门磁低功耗控制电路的控制方法，其具体包括以下步骤：