[发明专利]制作双面透明导电氧化物薄膜的镀膜设备在审
申请号: | 201911149718.6 | 申请日: | 2019-11-21 |
公开(公告)号: | CN110747446A | 公开(公告)日: | 2020-02-04 |
发明(设计)人: | 卢贤政;陈麒麟;李时俊;张勇 | 申请(专利权)人: | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/56 | 分类号: | C23C14/56;H01L31/18 |
代理公司: | 44247 深圳市康弘知识产权代理有限公司 | 代理人: | 林伟敏 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 镀膜腔 镀膜源 镀膜 载板 透明导电氧化物薄膜 粉尘 异质结太阳电池 产品效率 镀膜设备 溅射镀膜 离子镀膜 双面镀制 有效解决 薄膜硅 传输带 高效率 晶体硅 薄膜 横穿 背面 穿过 传输 制作 | ||
1.一种制作双面透明导电氧化物薄膜的镀膜设备,其特征在于:至少包括第一镀膜腔(1)和第二镀膜腔(2)、横穿第一和第二镀膜腔的用于传输太阳能电池板的传输带(3),第一和第二镀膜腔内分别设有镀膜源,当太阳能电池板依次穿过第一和第二镀膜腔时,所述镀膜源对太阳能电池板双面镀制透明导电氧化物薄膜。
2.如权利要求1所述的制作双面透明导电氧化物薄膜的镀膜设备,其特征在于:所述第一镀膜腔(1)和第二镀膜腔(2)之间设有用以消除粉尘的除尘腔(12)。
3.如权利要求2所述的制作双面透明导电氧化物薄膜的镀膜设备,其特征在于:所述第一镀膜腔内,镀膜源位于传输带上方;所述第二镀膜腔内,镀膜源位于传输带下方。
4.如权利要求3所述的制作双面透明导电氧化物薄膜的镀膜设备,其特征在于:所述镀膜设备中同时集成有三个镀膜腔或以上时,镀膜源位于传输带上方的镀膜腔,排列在镀膜源位于传输带下方的镀膜腔前方。
5.如权利要求2所述的制作双面透明导电氧化物薄膜的镀膜设备,其特征在于:所述除尘腔(12)在连接第一镀膜腔(1)和第二镀膜腔(2)处设有电动隔板,以便将第一镀膜腔、除尘腔、第二镀膜腔分割成各自独立的腔室;除尘腔内部、且位于所述传输带(3)的上方设有静电除尘器(17)。
6.如权利要求5所述的制作双面透明导电氧化物薄膜的镀膜设备,其特征在于:所述除尘腔(12)顶部设有下气流产生器(11),底部设有出气端口(13)。
7.如权利要求6所述的制作双面透明导电氧化物薄膜的镀膜设备,其特征在于:所述除尘腔(12)内部、且位于所述传输带(3)的下方设有粉尘迷道(14);在除尘腔的侧壁上交错伸出多块隔板,构成曲折的粉尘迷道。
8.如权利要求7所述的制作双面透明导电氧化物薄膜的镀膜设备,其特征在于:所述除尘腔(12)的底端设有粉尘集中腔(15),所述出气端口(13)位于粉尘迷道(14)和粉尘集中腔(15)之间。
9.如权利要求8所述的制作双面透明导电氧化物薄膜的镀膜设备,其特征在于:所述除尘腔(12)的侧壁上设有检修门。
10.如权利要求4所述的制作双面透明导电氧化物薄膜的镀膜设备,其特征在于:所述镀膜源包括溅射镀膜源及离子镀膜源,所述溅射镀膜源(4)采用靶材磁控溅射镀膜源、直流溅射镀膜源、交流溅射镀膜源、交流脉冲溅射镀膜源、射频交流溅射镀膜源中的一种;所述离子镀膜源(5)采用反应性等离子体沉积离子镀膜源、电子束蒸镀离子镀膜源中的一种。
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