[发明专利]制作双面透明导电氧化物薄膜的镀膜设备在审
申请号: | 201911149718.6 | 申请日: | 2019-11-21 |
公开(公告)号: | CN110747446A | 公开(公告)日: | 2020-02-04 |
发明(设计)人: | 卢贤政;陈麒麟;李时俊;张勇 | 申请(专利权)人: | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/56 | 分类号: | C23C14/56;H01L31/18 |
代理公司: | 44247 深圳市康弘知识产权代理有限公司 | 代理人: | 林伟敏 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 镀膜腔 镀膜源 镀膜 载板 透明导电氧化物薄膜 粉尘 异质结太阳电池 产品效率 镀膜设备 溅射镀膜 离子镀膜 双面镀制 有效解决 薄膜硅 传输带 高效率 晶体硅 薄膜 横穿 背面 穿过 传输 制作 | ||
本发明公开了制作双面透明导电氧化物薄膜的镀膜设备,其至少包括第一镀膜腔(1)和第二镀膜腔(2)、横穿第一和第二镀膜腔的用于传输镀膜载板的传输带(3),第一和第二镀膜腔内分别设有镀膜源,当待镀膜载板依次穿过第一和第二镀膜腔时,所述镀膜源对待镀膜载板双面镀制透明导电氧化物薄膜;本发明解决了离子镀膜和溅射镀膜的缺点,有效解决镀膜粉尘对于TCO薄膜质量及产品效率的影响,尤其适合高效率薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池的正面和背面连续生产时、方向由下往上镀膜源上方薄膜积迭所积造成的粉尘而产生缺陷。且本发明的设备和方法可适用于多种具有不同性能的TCO材料及不同型式的镀膜源。
技术领域
本发明涉及太阳能电池板制造设备,尤其涉及一种可有效避免粉尘污染的对太阳能电池板制作双面透明导电氧化物薄膜的镀膜设备。
背景技术
在SHJ太阳电池的TCO薄膜制作工艺中,有的选择磁控溅射镀膜设备和方法,在不需对电池片进行翻转的条件下,在所述镀膜设备中连续对前表面和背面进行TCO镀膜;有的则选择离子镀膜中的反应式等离子体镀膜(reactive plasma deposition, RPD)设备和方法,在对其中一面镀膜后,对电池片进行翻转,然后对另一面镀膜。但是,由于磁控溅射镀膜中等离子体轰击损伤对非晶硅薄膜的影响,导致电池的转换效率偏低。而RPD设备中,必须对电池进行翻转才能实现对前表面和背面的镀膜,虽然在TCO镀膜过程中对非晶硅薄膜的轰击和损伤小,电池转换效率明显提高,但是,存在设备结构复杂和运行成本高的缺点。
现有技术中有制作双面透明导电氧化物薄膜的镀膜设备,在所述镀膜设备中同时集成有离子镀膜源及溅射镀膜源。但这种设备仍存在缺点, 生产过程中产生的粉尘会沉积在腔体内侧上顶盖的遮板上, 在实际沉积时因温度改变掉落后产生粉尘, 并附着于待镀膜基板的上表面, 腔体设计顺序为由下而上镀膜源放置于前, 上而下镀膜源放置于后时,下而上镀膜源上方产生的粉尘, 会造成上而下镀膜源沉积的薄膜质量下降。此外这些粉尘一旦被TCO包覆后,无法移除,造成电池外观不良率增加,另外在EL检测时,也会有不良的暗点,最后造成电池转换效率下降。
因此,设计一种可有效避免粉尘污染,且对太阳能电池板制作双面透明导电氧化物薄膜的镀膜设备,是业界亟待解决的技术问题。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述缺陷,本发明提出一种可有效避免粉尘污染,且对太阳能电池板制作双面透明导电氧化物薄膜的镀膜设备。
本发明采用的技术方案是设计制作双面透明导电氧化物薄膜的镀膜设备,其至少包括第一镀膜腔和第二镀膜腔、横穿第一和第二镀膜腔的用于传输太阳能电池板的传输带,第一和第二镀膜腔内分别设有镀膜源,当太阳能电池板依次穿过第一和第二镀膜腔时,所述镀膜源对太阳能电池板双面镀制透明导电氧化物薄膜。
所述第一镀膜腔和第二镀膜腔之间设有用以消除粉尘的除尘腔。
所述第一镀膜腔内,镀膜源位于传输带上方;所述第二镀膜腔内,镀膜源位于传输带下方。
所述镀膜设备中同时集成有三个镀膜腔或以上时,镀膜源位于传输带上方的镀膜腔,排列在镀膜源位于传输带下方的镀膜腔前方。
所述除尘腔在连接第一镀膜腔和第二镀膜腔处设有电动隔板,以便将第一镀膜腔、除尘腔、第二镀膜腔分割成各自独立的腔室;除尘腔内部、且位于所述传输带的上方设有静电除尘器。
所述除尘腔顶部设有下气流产生器,底部设有出气端口。
所述除尘腔内部、且位于所述传输带的下方设有粉尘迷道;在除尘腔的侧壁上交错伸出多块隔板,构成曲折的粉尘迷道。
所述除尘腔的底端设有粉尘集中腔,所述出气端口位于粉尘迷道和粉尘集中腔之间。
所述除尘腔的侧壁上设有检修门。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司,未经深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911149718.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:镀膜设备及镀膜方法
- 下一篇:电子设备外盖增强纳米膜及其制备方法和应用
- 同类专利
- 专利分类