[发明专利]目标版图和掩膜版版图的修正方法、掩膜版及半导体结构在审
申请号: | 201911150017.4 | 申请日: | 2019-11-21 |
公开(公告)号: | CN112824972A | 公开(公告)日: | 2021-05-21 |
发明(设计)人: | 杜杳隽;徐垚 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72;G03F1/36 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 目标 版图 掩膜版 修正 方法 半导体 结构 | ||
1.一种目标版图的修正方法,其特征在于,包括:
提供初始目标版图,所述初始目标版图包括若干相互分立的第一图形以及若干第二图形,各所述第二图形分别位于相邻的所述第一图形之间,所述第二图形与所述第一图形相互分立,所述第一图形包括相互平行且长度相等的第一边和第二边,且所述第一边和所述第二边之间具有初始第一间距;
自所述初始目标版图获取待修正图形,所述待修正图形包括第一待修正图形,所述第一待修正图形为所述第一边小于第一预设值且所述初始第一间距小于第二预设值的第一图形;
对所述待修正图形进行预处理,在垂直于所述第一边的方向上,将所述第一边和所述第二边中的一者或两者朝背向所述第一待修正图形的方向移动。
2.如权利要求1所述的目标版图的修正方法,所述待修正图形还包括第二待修正图形,所述第二待修正图形为与所述第一边相邻的第二图形,所述第二待修正图形包括与所述第一边相邻且平行的第三边。
3.如权利要求2所述的目标版图的修正方法,其特征在于,当所述预处理包括移动所述第一边时,所述预处理还包括:将所述第三边切分为若干第三线段,从若干所述第三线段中获取第三待修正线段,所述第一边在所述第三待修正线段上具有第三投影,且所述第三投影在所述第三待修正线段的范围内;在垂直于所述第一边的方向上,将所述第三待修正线段朝背向所述第一待修正图形的方向移动第一预设距离,所述第一预设距离为所述第一边移动的距离。
4.如权利要求3所述的目标版图的修正方法,其特征在于,所述预处理还包括对所述第二待修正图形进行第四处理。
5.如权利要求3所述的目标版图的修正方法,其特征在于,若所述第二待修正图形与相邻的第一图形之间的间距大于第三预设值,则所述预处理还包括对所述第二待修正图形进行第四处理。
6.如权利要求4或5所述的目标版图的修正方法,其特征在于,所述第二待修正图形还包括与所述第三边平行的第四边;所述第四处理包括:将所述第四边切分为若干第四线段,从若干所述第四线段中获取第四待修正线段,所述第四待修正线段与所述第三待修正线段相邻,且所述第四待修正线段的长度与所述第三待修正线段的长度相等;在垂直于所述第一边的方向上,将所述第四待修正线段朝背向所述第一待修正图形的方向移动所述第一预设距离。
7.如权利要求1所述的目标版图的修正方法,其特征在于,所述待修正图形还包括第三待修正图形,所述第三待修正图形为与所述第二边相邻的第二图形,所述第三待修正图形包括与所述第二边相邻且平行的第五边。
8.如权利要求7所述的目标版图的修正方法,其特征在于,当所述预处理包括移动所述第二边时,所述预处理还包括:将所述第五边切分为若干第五线段,从若干所述第五线段中获取第五待修正线段,所述第二边在所述第五待修正线段上具有第五投影,且所述第五投影在所述第五待修正线段的范围内;在垂直于所述第二边的方向上,将所述第五待修正线段朝背向所述第一待修正图形的方向移动第二预设距离,所述第二预设距离为所述第二边移动的距离。
9.如权利要求8所述的目标版图的修正方法,其特征在于,所述预处理还包括对所述第三待修正图形进行第六处理。
10.如权利要求8所述的目标版图的修正方法,其特征在于,若所述第三待修正图形与相邻的第一图形之间的间距大于第四预设值,则所述预处理还包括对所述第三待修正图形进行第六处理。
11.如权利要求9或10所述的目标版图的修正方法,其特征在于,所述第三待修正图形还包括与所述第五边平行的第六边;所述第六处理包括:将所述第六边切分为若干第六线段,从若干所述第六线段中获取第六待修正线段,所述第六待修正线段与所述第五待修正线段相邻,且所述第六待修正线段的长度与所述第五待修正线段的长度相等;在垂直于所述第二边的方向上,将所述第六待修正线段朝背向所述第一待修正图形的方向移动所述第二预设距离。
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