[发明专利]目标版图和掩膜版版图的修正方法、掩膜版及半导体结构

说明书

一种目标版图和掩膜版版图的修正方法、掩膜版及半导体结构，所述目标版图的修正方法包括：提供初始目标版图；自所述初始目标版图获取待修正图形，所述待修正图形包括第一待修正图形，所述第一待修正图形，所述第一待修正图形包括第一边和第二边；对所述待修正图形进行预处理，在垂直于所述第一边的方向上，将所述第一边和所述第二边中的一者或两者朝背向所述第一待修正图形的方向移动。所述修正方法能够提高形成的光刻图形的精度，从而提高半导体结构的电学性能的稳定性。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种目标版图和掩膜版版图的修正方法、掩膜版及半导体结构。

背景技术

光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，其能够实现将图形从掩模版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。在光刻工艺过程中，首先，通过曝光步骤，光线通过掩模版中透光或反光的区域照射至涂覆了光刻胶的硅片上，并与光刻胶发生光化学反应；接着，通过显影步骤，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度，形成光刻图形，实现掩模版图案的转移；然后，通过刻蚀步骤，基于光刻胶层所形成的光刻图形对硅片进行刻蚀，将掩模版图案进一步转移至硅片上。

然而，在显影并形成光刻图形的过程中，由于各种不可测的因素，例如机台抖动、曝光极限等的一系列问题，会导致光刻图形产生缺陷，从而降低了光刻图形的精度。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种目标版图和掩膜版版图的修正方法、掩膜版及半导体结构，以提高形成的光刻图形的精度，从而提高所述半导体结构的电学性能的稳定性。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供一种目标版图的修正方法，包括：提供初始目标版图，所述初始目标版图包括若干相互分立的第一图形以及若干第二图形，各所述第二图形分别位于相邻的所述第一图形之间，所述第二图形与所述第一图形相互分立，所述第一图形包括相互平行且长度相等的第一边和第二边，且所述第一边和所述第二边之间具有初始第一间距；自所述初始目标版图获取待修正图形，所述待修正图形包括第一待修正图形，所述第一待修正图形为所述第一边小于第一预设值且所述初始第一间距小于第二预设值的第一图形；对所述待修正图形进行预处理，在垂直于所述第一边的方向上，将所述第一边和所述第二边中的一者或两者朝背向所述第一待修正图形的方向移动。

可选的，所述待修正图形还包括第二待修正图形，所述第二待修正图形为与所述第一边相邻的第二图形，所述第二待修正图形包括与所述第一边相邻且平行的第三边。

可选的，当所述预处理包括移动所述第一边时，所述预处理还包括：将所述第三边切分为若干第三线段，从若干所述第三线段中获取第三待修正线段，所述第一边在所述第三待修正线段上具有第三投影，且所述第三投影在所述第三待修正线段的范围内；在垂直于所述第一边的方向上，将所述第三待修正线段朝背向所述第一待修正图形的方向移动第一预设距离，所述第一预设距离为所述第一边移动的距离。

可选的，所述预处理还包括对所述第二待修正图形进行第四处理。

可选的，若所述第二待修正图形与相邻的第一图形之间的间距大于第三预设值，则所述预处理还包括对所述第二待修正图形进行第四处理。

可选的，所述第二待修正图形还包括与所述第三边平行的第四边；所述第四处理包括：将所述第四边切分为若干第四线段，从若干所述第四线段中获取第四待修正线段，所述第四待修正线段与所述第三待修正线段相邻，且所述第四待修正线段的长度与所述第三待修正线段的长度相等；在垂直于所述第一边的方向上，将所述第四待修正线段朝背向所述第一待修正图形的方向移动所述第一预设距离。

可选的，所述待修正图形还包括第三待修正图形，所述第三待修正图形为与所述第二边相邻的第二图形，所述第三待修正图形包括与所述第二边相邻且平行的第五边。