[发明专利]一种伪栅移除的方法

权利要求书

1.一种伪栅移除的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S01：在衬底结构上形成伪栅结构；

步骤S02：降低所述衬底结构上的所述伪栅结构的高度；

步骤S03：对所述伪栅进行干法刻蚀，去除部分伪栅结构，形成凹槽结构；

步骤S04：对所述凹槽结构中暴露出的所述伪栅结构进行氧化处理；

步骤S05：去除所述伪栅结构表面的氧化物层；

步骤S06：清洗所述凹槽结构中的所述伪栅结构的表面；

步骤S07：在低真空环境下采用湿法刻蚀去除剩下的所述伪栅结构，所述湿法刻蚀的溶液中添加有气泡释放剂。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述伪栅结构的材料为多晶硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S02中通过使用化学机械抛光工艺降低所述伪栅的高度，并且通过所述抛光工艺去除的伪栅高度为原始伪栅高度的10％～20％。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S03中的所述干法刻蚀为RIE刻蚀，并且形成凹槽结构的深度为所述降低高度后的伪栅高度的10％-40％。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S04中，采用臭氧对所述凹槽结构中暴露出的所述伪栅结构进行氧化处理，采用的所述臭氧为纯度在99.9％以上的高纯度臭氧，所述氧化处理时臭氧的流量为50SCCM至150SCCM，处理时间为5至15分钟。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S04中，采用强氧化性的酸性溶液对所述凹槽结构中暴露出的所述伪栅结构进行氧化处理，所述强氧化性的酸性溶液为质量分数98％的H₂SO₄和质量分数30％的H₂O₂双氧水按照体积比1:3-1:7的比例进行配置，在40-60℃下执行1到5分钟的处理。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S05中，采用稀释的氢氟酸溶液去除所述伪栅结构表面的氧化物层，所述氢氟酸溶液为质量浓度1％到2％的氢氟酸稀释液，在20-30℃执行10至20秒的处理。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S06中，采用去离子水清洗凹槽结构中的所述伪栅结构的表面，然后使用Ar或N₂气体吹干所述伪栅结构表面，或者在惰性气体氛围下在干燥箱中使所述伪栅结构的表面干燥。

9.根据权利要求1所述的方法，其征在于，所述步骤S07中，所述湿法刻蚀的溶液为四甲基氢氧化铵、氨水、四乙基氢氧化铵中的一种，所述湿法刻蚀溶液的质量浓度为6％-10％；所述气泡释放剂为异丙醇或乙醇试剂，添加的气泡释放剂的质量浓度为85％-90％，并且所述气泡释放剂与所述湿法刻蚀液按照体积比1:7-1:10进行配比，并在50-70℃下进行湿法刻蚀。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述低真空环境的气压值为5mTorr至50mTorr。