[发明专利]一种阵列基板及其显示面板在审
申请号: | 201911154649.8 | 申请日: | 2019-11-22 |
公开(公告)号: | CN111029345A | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 徐品全;王威 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;G09F9/30 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
基底层;
有源层,其设置于所述基底层上;
第一绝缘层,其设置于所述有源层上;
栅极层,其设置于所述第一绝缘层上;
第二绝缘层,其设置于所述栅极层上;
第一源漏极,其设置于所述第二绝缘层上,所述第一源漏极包括:第一源漏极第一部分,其通过第一通孔连接至所述栅极层上;
第三绝缘层,其覆盖于所述第一源漏极以及所述第二绝缘层上;
第二源漏极,其包括:第二源漏极第一部分,其对应所述第一源漏极第一部分设置于所述第三绝缘层上。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:第一平坦层,其设置于所述第三绝缘层上,所述第一平坦层对应于所述第一源漏极第一部分的远离所述基底层的表面向下贯穿直至所述第三绝缘层远离所述基底层的表面形成凹槽;所述第二源漏极第一部分设置于所述凹槽内。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,还包括:
第二平坦层,其覆盖于所述第二源漏极以及第一平坦层上;
至少一像素电极,其相互间隔设置于所述第二平坦层上,其通过第五通孔连接于所述第二源漏极第二部分上;
复位信号走线,其设置于相邻所述像素电极之间的所述第二平坦层上;
像素定义层,其设置于相邻所述像素电极之间的所述第二平坦层上并覆盖所述复位信号走线。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一源漏极还包括:
第一源漏极第二部分以及第一源漏极第三部分,其分别通过第二通孔以及第三通孔连接于所述有源层两侧。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第二源漏极还包括:
第二源漏极第二部分,其通过第四通孔连接于所述第一源漏极第三部分上。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,相邻所述像素电极共用一个所述第五通孔连接于所述第二源漏极第二部分上。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二绝缘层包括:
钝化层,其设置于所述栅极层上;
有机光阻层,其设置于所述钝化层上;
所述第一源漏极设置于所述有机光阻层上。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述第一绝缘层、钝化层、第三绝缘层的组成材料均包括无机材料。
9.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一平坦层、第二平坦层的组成材料均包括有机材料。
10.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的