[发明专利]基于表面配体控制的钙钛矿发光二极管器件及其制备方法

权利要求书

1.一种钙钛矿发光二极管器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将空穴注入层材料的有机溶液涂覆至导电基底表面，在100-110℃下退火后，形成空穴注入层；所述空穴注入层材料为聚合物；

(2)将溴化铯、溴化铅和苯乙基溴化胺在3-(癸基二甲基铵)丙烷-1-磺酸内盐表面活性剂的作用下溶于有机溶剂，得到钙钛矿前驱体溶液，将所述钙钛矿前驱体溶液涂覆至所述空穴注入层表面，并在80-100℃退火后得到钙钛矿薄膜；

(3)采用烷基胺有机溶液处理所述钙钛矿薄膜的表面，形成发光层；

(4)在所述发光层表面依次制备电子传输层、电子注入层和金属阴极电极，得到所述钙钛矿发光二极管器件。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在步骤(1)中，所述空穴注入层材料为聚(9-乙烯咔唑)或三氧化钼。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在步骤(1)中，采用旋涂法进行涂覆，旋涂速度为3500-4500rpm，旋涂时间为40-60s。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在步骤(1)中，所述空穴注入层材料的有机溶液的浓度为6-8mg/mL。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在步骤(2)中，所述溴化铯、溴化铅、苯乙基溴化胺和3-(癸基二甲基铵)丙烷-1-磺酸内盐的摩尔比为1:1:0.4:0.05。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在步骤(2)中，采用旋涂法进行涂覆，旋涂速度为3000-3500rpm，旋涂时间为40-60s。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在步骤(3)中，烷基胺为辛胺、乙胺和正己胺中的一种或几种。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在步骤(3)中，所述烷基胺有机溶液的浓度为0.4-0.6μL/mL。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在步骤(4)中，所述步骤(5)中所述电子传输层为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯和氧化锌中的一种或几种；所述电子注入层为8-羟基喹啉-锂和/或四(8-羟基喹啉)硼锂；所述金属阴极电极为铝或银。

10.一种权利要求1-9中任一项所述的制备方法所制备的钙钛矿发光二极管器件，其特征在于：包括依次设置的导电基底、空穴注入层、发光层、电子传输层、电子注入层和金属阴极电极，所述空穴注入层的厚度为20-40nm，所述发光层的厚度为20-30nm，所述电子传输层的厚度为30-40nm，所述电子注入层的厚度为2-5nm，所述金属阴极电极的厚度为80-100nm。