[发明专利]一种水性锡膏清洗剂、该清洗剂制作工艺及清洗方法

权利要求书

1.一种水性锡膏清洗剂，使用在集成电路封装领域，其包括表面活性剂,有机溶剂,缓蚀剂,偶联剂，有机清洁剂；其特征在于：

所述表面活性剂包含有脂肪酸聚氧乙烯甘油醚,脂肪酸聚氧乙烯醚,椰子油脂肪酸二乙醇酰胺,吐温-80，司潘-80，油醇聚氧乙烯醚，氢化蓖麻油活性剂,苯基缩水甘油醚；所述脂肪酸聚氧乙烯甘油醚为0.15千克，所述脂肪酸聚氧乙烯醚为0.15千克，所述椰子油脂肪酸二乙醇酰胺为0.15千克，所述吐温-80为0.15千克，所述司潘-80为0.15千克，所述油醇聚氧乙烯醚为0.15千克；

有机溶剂包含有吡咯烷酮，丁内酯，四氢康醇，丙三醇，乙二醇甲醚，聚乙二醇200，聚乙二醇600，聚乙二醇8000，聚乙二醇2W，乙二醇，乙醇，聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚，丙二醇苯醚，乙二醇甲醚，二乙二醇单己醚，乙酸丁酯，乙醇胺，丙二醇，己二酸二辛酯苯甲醇；所述吡咯烷酮为0.10千克，所述丁内酯为0.10千克，所述四氢康醇为0.10千克，所述丙三醇为0.10千克，所述乙二醇甲醚为0.10千克；所述聚乙二醇200为1千克，所述聚乙二醇600为1千克，所述聚乙二醇8000为1千克，所述聚乙二醇2W为1千克，所述乙二醇为1千克，所述乙醇为1千克，所述聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚为0.005千克；

缓蚀剂包含有苯并三氮唑，甲基苯并三氮唑；所述苯并三氮唑为0.05千克；

偶联剂包含有KH550，KH560；所述KH550为0.05千克，所述KH560为0.05千克。

2.一种如权利要求1所述水性锡膏清洗剂而所采用制作工艺，其工艺流程为：首先，将0.15千克的聚氧乙烯甘油醚，0.15千克的脂肪酸聚氧乙烯醚，0.15千克的椰子油脂肪酸二乙醇酰胺，0.15千克的吐温-80，0.15千克的司潘-80，0.15千克的油醇聚氧乙烯醚,和1.0L体积的去离子的水溶液加入反应釜中，启动搅拌器，充分搅拌，使充分发生化学反应，反应时间为20分钟，形成所述的中间体A混合液；

接着，将1.0L体积的去离子的水溶液加入反应釜中，缓慢加入0.15千克的吐温-80，使用搅拌器充分搅拌20分钟，然后，缓慢加入0.15千克的氢化蓖麻油活性剂，使用搅拌器充分搅拌20分钟，缓慢加入0.15千克的司潘-80，使用搅拌器充分搅拌20分钟，至完全溶解，则制成中间体B混合液；

接着，将预先打入计量槽的去离子的3.0L体积的水溶液加入反应釜，启动搅拌器搅拌，加入1.0千克壬基酚聚氧乙烯醚，搅拌30分钟，至完全溶解；缓慢加入0.2千克的脂肪醇聚氧乙烯醚，充分搅拌30分钟，至完全溶解，缓慢加入0.2千克的椰子油脂肪酸二乙醇酰胺，充分搅拌30分钟，至完全溶解，制得中间体C混合液；

接着，将0.005千克的聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚和1.0千克的去离子的水溶液加入反应釜中，启动搅拌器搅拌，反应时间为10中，制得中间体D混合液；

接着，将0.005千克的氯化十二烷基二甲基苄基铵和1.0千克的去离子的水溶液加入反应釜中，启动搅拌器搅拌，反应时间为15分钟，制得中间体E混合液；

接着，先将已经制作好的中间体C混合液加入反应釜中，开启搅拌器，充分搅拌；然后，在反应釜中加入中间体B混合液，使得充分产生化学反应，反应时间为10分钟；然后，将中间体A混合液和1.59L体积的去离子的水溶液，缓缓加入到反应釜内，使用搅拌器搅拌20分钟；然后，将中间体D混合液，缓缓加入到反应釜内，使用搅拌器搅拌20分钟；，将中间体E混合液，缓缓加入到反应釜内，使用搅拌器搅拌20分钟之后，将反应釜内部所述混合液体放入到指定容器内，并将指定容器外表面及内部包装，形成成品的水性锡膏清洗剂。

3.一种如权利要求1所述水性锡膏清洗剂而所采用清洗方法，其方法为：

第一步骤，将残留有锡膏、粘合剂以及溶剂的电路板放入超声波清洗机内部，并将水性锡膏清洗剂加入到超声波清洗机的清洗溶液充分均匀混合，使得形成混合溶液；所述超声波清洗机对混合溶液加热到50度至60度，混合溶液对所述电路板进行清洗2道工序，每道清洗时间为10分钟至25分钟；混合溶液最佳加热温度为55度，最佳清洗时间为20分钟；

第二步骤，再往超声波清洗机内部加入去离子的水溶液，对已经过第一步骤清洗的电路板，使用超声波清洗方式，清洗10分钟至30分钟；

第三步骤，接着，使用50度至60度的热纯水，对已经过第二步骤清洗的电路，通过喷淋方式进行喷淋漂洗2次，每次喷淋电路板的时间为5分钟；

第四步骤，接着，对漂洗后电路板使用热风吹干表面残留的溶液，然后，对吹干电路板放入到烘箱内部进行烘干即可。