[发明专利]成膜装置

权利要求书

1.一种成膜装置，用于在基板的多个成膜对象区域经由掩模进行成膜，其特征在于，

所述成膜装置具有用于至少吸附所述基板的静电吸盘和真空容器，

所述静电吸盘能够在与吸附面平行的方向上相对于所述真空容器送入以及送出，

所述静电吸盘具有设置有第一电极部的第一区域和设置有第二电极部的第二区域，

所述静电吸盘构成为，所述第一区域中的对所述基板的每单位面积的静电引力与所述第二区域中的对所述基板的每单位面积的静电引力不同。

2.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述静电吸盘构成为，所述第一区域中的对所述基板的每单位面积的静电引力比所述第二区域中的对所述基板的每单位面积的静电引力小。

3.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

设置于所述第一区域的所述第一电极部的电极密度比设置于所述第二区域的所述第二电极部的电极密度小。

4.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述第一电极部以及所述第二电极部各自具有以彼此的梳齿部交替啮合的方式相向配置的一对梳齿电极，

所述第一电极部的所述梳齿部之间的间隔比所述第二电极部的所述梳齿部之间的间隔宽。

5.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述静电吸盘包括至少介于所述第一电极部及第二电极部与吸附所述基板的吸附面之间的电介质部，

所述第一区域中的所述电介质部的厚度比所述第二区域中的所述电介质部的厚度大。

6.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述静电吸盘包括至少介于所述第一电极部及第二电极部与吸附所述基板的吸附面之间的电介质部，

所述第一区域中的所述电介质部的电阻率比所述第二区域中的所述电介质部的电阻率大。

7.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述静电吸盘包括至少介于所述第一电极部及第二电极部与吸附所述基板的吸附面之间的电介质部，

所述第一区域中的所述电介质部的介电常数比所述第二区域中的所述电介质部的介电常数小。

8.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述成膜装置具备控制部，所述控制部在针对所述基板的成膜工序的至少一部分期间，以施加于所述第一电极部的电压与施加于所述第二电极部的电压不同的方式进行控制。

9.如权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述基板具有多个成膜对象区域，

所述第一区域吸附所述基板的包含所述成膜对象区域在内的区域，

所述第二区域吸附所述基板的所述多个成膜对象区域之间的区域。

10.一种成膜装置，用于在基板的多个成膜对象区域经由掩模进行成膜，其特征在于，

所述成膜装置具有用于至少吸附所述基板的静电吸盘和真空容器，

所述静电吸盘能够在与吸附面平行的方向上相对于所述真空容器送入以及送出，

所述静电吸盘在与吸附所述基板的吸附面平行的第一方向、以及与所述吸附面平行并与所述第一方向交叉的第二方向上，具有以规定的间隔分离而配置成矩阵状的多个第一区域和所述多个第一区域之间的第二区域，

所述静电吸盘构成为，所述第一区域中的对所述基板的每单位面积的静电引力与所述第二区域中的对所述基板的每单位面积的静电引力不同。

11.如权利要求10所述的成膜装置，其特征在于，

所述静电吸盘构成为，所述第一区域中的对所述基板的每单位面积的静电引力比所述第二区域中的对所述基板的每单位面积的静电引力小。