[发明专利]成膜装置

说明书

本发明涉及静电吸盘、静电吸盘系统、成膜装置及方法、吸附方法以及电子器件的制造方法。可以利用静电吸盘稳定地吸附基板以及/或者掩模，并且，降低静电吸盘的电场对膜的膜质、膜厚分布的均匀性的影响。静电吸盘用于对具有多个成膜对象区域的成膜对象物进行吸附，其特征在于，所述静电吸盘具有用于对所述成膜对象物的吸附面中的包含与所述成膜对象区域对应的区域在内的区域进行吸附的第一区域、以及用于对所述成膜对象物的吸附面中的与所述多个成膜对象区域对应的区域之间的区域进行吸附的第二区域，所述静电吸盘构成为，所述第一区域中的对所述成膜对象物的每单位面积的静电引力与所述第二区域中的对所述成膜对象物的每单位面积的静电引力不同。

技术领域

本发明涉及成膜装置。

背景技术

在有机EL显示装置(有机EL显示器)的制造中，在形成构成有机EL显示装置的有机发光元件(有机EL元件；OLED)时，将从成膜装置的成膜源放出的成膜材料经由形成有像素图案的掩模成膜到基板上，从而形成有机物层、金属层。

在向上成膜方式(Depo-up：向上沉积)的成膜装置中，成膜源设置在成膜装置的真空容器的下部，基板配置在真空容器的上部，在基板的下表面进行成膜。在这样的向上成膜方式的成膜装置的真空容器内，由于基板仅其下表面的周缘部被基板支架保持，因此，基板因其自重而挠曲，这成为成膜精度降低的一个主要原因。在向上成膜方式以外的方式的成膜装置中，也有可能因基板的自重而产生挠曲。

作为用于降低由基板的自重引起的挠曲的方法，正在研究使用静电吸盘的技术。即，通过利用静电吸盘对基板的整个上表面进行吸附，从而可以降低基板的挠曲。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：韩国专利公开公报2018-0053143号

但是，在使用静电吸盘的成膜装置中，由于来自静电吸盘的静电场，在基板上成膜的膜的膜质、膜厚分布的均匀性有可能降低。例如，在对具有极性的材料进行成膜的情况下，可能存在膜的特性因静电吸盘的静电场引起的电介质极化而变化、或膜厚分布变得不均匀的情况。另外，在通过溅射进行成膜的装置的情况下，等离子体因静电吸盘的静电场而紊乱，有可能给膜质、膜厚分布带来影响。

专利文献1(韩国公开专利公报第2018-0053143号)公开了在利用仅在形成荫罩的部分形成有电极的静电吸盘吸附基板和掩模的状态下进行成膜的结构，但在该情况下，有可能无法使足够大小的吸附力作用于基板以及/或者掩模。尤其是，在使用大尺寸的基板和掩模进行成膜的情况下，在专利文献1的结构中，难以稳定地吸附基板以及掩模并形成膜质、膜厚分布的均匀性高的膜。

发明内容

本发明的目的在于提供一种静电吸盘、静电吸盘系统、成膜装置、吸附方法、成膜方法以及使用该成膜方法的电子器件的制造方法，可以利用静电吸盘稳定地吸附基板以及/或者掩模，并且，可以降低静电吸盘的电场对膜的膜质、膜厚分布的均匀性的影响。

用于解决课题的方案

本发明的第一方案的静电吸盘是用于对具有多个成膜对象区域的成膜对象物进行吸附的静电吸盘，其特征在于，用于对所述成膜对象物的所述成膜对象区域进行吸附的区域包含于第一区域，用于对所述成膜对象物的所述多个成膜对象区域之间的区域进行吸附的区域包含于第二区域，所述静电吸盘构成为，所述第一区域中的对所述成膜对象物的静电引力与所述第二区域中的对所述成膜对象物的静电引力不同。

本发明的第二方案的静电吸盘是用于吸附被吸附体的静电吸盘，其特征在于，所述静电吸盘在与吸附所述被吸附体的吸附面平行的第一方向、以及与所述吸附面平行并与所述第一方向交叉的第二方向上，具有以规定的间隔分离而配置成矩阵状的多个第一区域、以及所述多个第一区域之间的第二区域，所述静电吸盘构成为，所述第一区域中的对所述被吸附体的静电引力与所述第二区域中的对所述被吸附体的静电引力不同。