[发明专利]一种镭射蚀刻型导电银浆及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种镭射蚀刻型导电银浆，其特征在于，包括以下质量份的组分：金属导电粉末55-85份、树脂10-20份、固化剂0.05-1份、助剂0.05-2.5份和溶剂10-20份；所述树脂为环氧树脂，所述环氧树脂为双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、邻甲基酚醛环氧树脂中的至少一种；所述固化剂为硫醇类、双氰胺类、阳离子类固化剂中的至少一种；

所述金属导电粉末为球形和/或片状粉末；

所述金属导电粉末的粒径或片径为0.6-1.5μm。

2.根据权利要求1所述的镭射蚀刻型导电银浆，其特征在于，所述金属导电粉末为银粉，银粉的银含量＞99.90％。

3.根据权利要求1所述的镭射蚀刻型导电银浆，其特征在于，所述溶剂包括二乙二醇丁醚醋酸酯、三丙二醇甲醚、丙二醇甲醚醋酸酯、二丙二醇甲醚中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的镭射蚀刻型导电银浆，其特征在于，所述助剂包括润湿剂、流平剂、增韧剂、分散剂中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的镭射蚀刻型导电银浆，其特征在于，所述润湿剂包括改性聚硅氧烷、氟碳脂肪族聚合物中的至少一种；所述流平剂包括改性聚硅氧烷、丙烯酸混合物中的至少一种；所述增韧剂包括苯氧基树脂、丁基橡胶中的至少一种。

6.权利要求1-5任一项所述的镭射蚀刻型导电银浆的制备方法，其特征在于，按比例称取金属导电粉末、溶剂、固化剂、助剂和树脂，并进行混合处理，形成镭射蚀刻型导电银浆。

7.权利要求1-5任一项所述的镭射蚀刻型导电银浆在PET薄膜、ITO薄膜、纳米银导电薄膜和ITO玻璃中的应用。