[发明专利]一种多孔PVDF模板几何约束免疫磁珠复合材料制备方法及应用

权利要求书

1.一种多孔PVDF模板几何约束免疫磁珠复合材料制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)传统法制备单分散SiO₂微球；

(2)丁二酸改性；

(3)浸渍SiO₂微球；

(4)多孔PVDF膜的制备：

将2g PVDF粉末溶解在10mL二甲基亚砜(DMSO)中，搅拌均匀，滴适量在SiO₂浸渍后的载玻片上，保持均匀，在60℃烘箱中干燥6h，取出后浸泡在去离子水中，膜自动与载玻片分离；配置刻蚀液1ml乙醇、1mL氢氟酸和5mL去离子水，将得到的膜浸泡在刻蚀液中5天，刻蚀后的PVDF膜用大量去离子水冲洗；

(5)多孔PVDF模板几何约束免疫磁珠复合材料的制备：

将免疫磁珠悬浮在涂层缓冲液中，把刻蚀SiO₂后的PVDF膜浸泡在其中，室温振荡孵育5h，取出制备好的组装磁珠膜材料，冲洗表面残留磁珠。

2.根据权利要求1所述的多孔PVDF模板几何约束免疫磁珠复合材料制备方法，其特征在于：所述步骤(1)具体为，将3.6mL水、10mL氨水、10mL甲醇、30mL异丙醇混合搅拌加热至40℃，缓慢逐滴加入0.6mL正硅酸乙酯TEOS，转速为300rpm，搅拌反应30min，得到硅球种子溶液，然后再缓慢滴加3.4mL TEOS，继续反应2h，在通风橱放置5h除去多余氨；离心后去离子水和乙醇各洗涤两次，40℃干燥备用；样品加入无水乙醇中超声分散2h，室温干燥后在30％过氧化氢中浸泡12h，真空干燥后备用。

3.根据权利要求2所述的多孔PVDF模板几何约束免疫磁珠复合材料制备方法，其特征在于：所述步骤(2)具体为，将0.5g SiO₂溶于25mL乙腈中，超声振荡后形成均匀的分散溶液；在三口烧瓶中加入1.5g丁二酸，25mL乙腈，连续搅拌回流加热至60℃，加入5mL去离子水直到丁二酸完全溶解，再将分散溶液倒入三口烧瓶中，继续搅拌回流升温至75℃；连续搅拌保温24h后将产物冷却到65℃左右，热抽滤后用去离子水和无水乙醇的混合溶液洗涤三次，60℃干燥备用。

4.根据权利要求3所述的多孔PVDF模板几何约束免疫磁珠复合材料制备方法，其特征在于：所述步骤(3)具体为，将载玻片在使用前用质量分数为30％的过氧化氢和质量分数为98％的浓硫酸的混合溶液中浸泡静置12h，过氧化氢和浓硫酸的体积比为3:7；再经去离子水反复漂洗后在氮气流中干燥备用；用去离子水配成质量分数为2％SiO₂分散溶液，超声分散转移至染色缸中；将处理后的载玻片插入染色缸中垂直置于悬浮液中，真空干燥后取出载玻片。

5.根据权利要求4所述的多孔PVDF模板几何约束免疫磁珠复合材料制备方法，其特征在于：实验所用磁珠表面的官能团为对甲苯磺酰基，可以与抗体上的氨基发生二级亲核取代反应，使磁珠可以通过共价键偶合不同抗体，并且产生等摩尔质量的对甲苯磺酸。

6.权利要求1-5任一所述的制备方法获得的多孔PVDF模板几何约束免疫磁珠复合材料。