[发明专利]体声波谐振器模块有效
申请号: | 201911162917.0 | 申请日: | 2019-11-25 |
公开(公告)号: | CN111262549B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 朴昇旭;李泰京;罗圣勳;李在昌;郑载贤 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H03H9/17 | 分类号: | H03H9/17;H03H9/02 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 钱海洋;英旭 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 声波 谐振器 模块 | ||
1.一种体声波谐振器模块,包括:
模块基板;
体声波谐振器,利用连接端子连接到所述模块基板,并且设置为与所述模块基板间隔开;以及
密封部,对所述体声波谐振器进行密封,
其中,所述体声波谐振器包括设置在所述模块基板的上表面对面的谐振部,并且在所述谐振部与所述模块基板的所述上表面之间设置有空间。
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器模块,其中,所述体声波谐振器还包括:
谐振器基板;
绝缘层,设置在所述谐振器基板的表面上;
膜层,与所述绝缘层一起形成腔,所述谐振部设置在所述腔上,并且所述谐振部包括以堆叠构造布置的第一电极、压电层和第二电极;
保护层,设置在所述谐振部中的所述第一电极、所述压电层和所述第二电极上;以及
疏水层,设置在所述保护层上。
3.根据权利要求2所述的体声波谐振器模块,其中,所述疏水层与水的接触角度是90°或更大。
4.根据权利要求2所述的体声波谐振器模块,其中,所述疏水层包括氟和硅中的任意一种或两种。
5.根据权利要求2所述的体声波谐振器模块,其中,所述疏水层围绕所述腔和所述膜层。
6.根据权利要求2所述的体声波谐振器模块,其中,所述保护层包括第一保护层和第二保护层,所述第一保护层利用二氧化硅基绝缘材料或氮化硅基绝缘材料形成,所述第二保护层利用氧化铝基绝缘材料、氮化铝基绝缘材料、氧化镁基绝缘材料、氧化钛基绝缘材料、氧化锆基绝缘材料和氧化锌基绝缘材料中的任意一种形成。
7.根据权利要求1所述的体声波谐振器模块,其中,所述体声波谐振器与所述模块基板之间的距离是10μm至30μm。
8.根据权利要求1所述的体声波谐振器模块,其中,在所述模块基板的所述上表面中形成有沟槽,并且所述连接端子的将所述体声波谐振器连接到所述模块基板的部分设置在所述沟槽中。
9.根据权利要求8所述的体声波谐振器模块,其中,所述模块基板的所述上表面与所述体声波谐振器的下表面的边缘之间的距离是0μm至20μm。
10.根据权利要求8所述的体声波谐振器模块,其中,所述沟槽的水平长度小于所述体声波谐振器的水平长度。
11.根据权利要求9所述的体声波谐振器模块,其中,所述沟槽的深度是20μm至30μm。
12.根据权利要求1所述的体声波谐振器模块,所述体声波谐振器模块还包括:阻挡构件,设置在所述体声波谐振器与所述模块基板之间。
13.根据权利要求12所述的体声波谐振器模块,其中,所述阻挡构件与所述连接端子的至少一个表面接触。
14.根据权利要求12所述的体声波谐振器模块,其中,所述阻挡构件与所述模块基板的所述上表面间隔开。
15.根据权利要求12所述的体声波谐振器模块,其中,在所述模块基板的所述上表面中形成有沟槽,并且所述阻挡构件设置在所述沟槽中。
16.根据权利要求12所述的体声波谐振器模块,其中,所述阻挡构件利用导电材料制成,并且与所述连接端子间隔开。
17.根据权利要求1所述的体声波谐振器模块,所述体声波谐振器模块还包括:阻挡构件,设置在所述连接端子的外侧且形成为覆盖所述连接端子的侧表面。
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