[发明专利]体声波谐振器模块有效
申请号: | 201911162917.0 | 申请日: | 2019-11-25 |
公开(公告)号: | CN111262549B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 朴昇旭;李泰京;罗圣勳;李在昌;郑载贤 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H03H9/17 | 分类号: | H03H9/17;H03H9/02 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 钱海洋;英旭 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 声波 谐振器 模块 | ||
本发明提供一种体声波谐振器模块,所述体声波谐振器模块包括:模块基板;体声波谐振器,利用连接端子连接到所述模块基板,并且设置为与所述模块基板间隔开;以及密封部,对所述体声波谐振器进行密封。所述体声波谐振器包括设置在所述模块基板的上表面对面的谐振部。在所述谐振部与所述模块基板的所述上表面之间设置有空间。
本申请要求分别于2018年11月30日和2019年4月10日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0152385号和第10-2019-0042081号韩国专利申请的优先权的权益,所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
技术领域
以下描述涉及一种体声波谐振器模块。
背景技术
近来,随着移动通信装置、化学装置和生物装置等的快速发展,对于在这样的装置中使用的小且轻量的滤波器、振荡器、谐振元件和声波谐振质量传感器等的需求正在增长。
这种声波谐振器可被构造为用于实现这种小且轻量的滤波器、振荡器、谐振元件、声波谐振质量传感器等的装置,并且可实现为薄膜体声波谐振器(FBAR)。
FBAR可以以最少的成本批量生产并且可被构造为具有超小尺寸。此外,FBAR可实现高品质因数(QF)值(QF值是滤波器的主要特性),并且FBAR可甚至用于微波频带中。例如,FBAR可用于个人通信系统(PCS)的频带和数字无线系统(DCS)的频带中。
一般而言,FBAR具有包括通过将第一电极、压电体和第二电极依次堆叠在基板上形成的谐振部的结构。
FBAR的操作原理如下。首先,当电能被施加到第一电极和第二电极以在压电层中产生电场时,该电场在压电层中引起压电现象,使得谐振部振动预定距离。结果,在振动和谐振发生所沿的同一方向上产生体声波。
也就是说,FBAR是使用体声波(BAW)的元件,且压电体的有效机电耦合系数(kt2)增大,使得声波元件的频率特性被改善且还可能获得宽的带宽。
发明内容
提供本发明内容以按照简化的形式对所选择的构思进行介绍,并且下面在具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容既不意在限定所要求保护的主题的主要特征或必要特征,也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。
在一个总体方面,一种体声波谐振器模块包括:模块基板;体声波谐振器,利用连接端子连接到所述模块基板,并且设置为与所述模块基板间隔开;以及密封部,对所述体声波谐振器进行密封。所述体声波谐振器包括设置在所述模块基板的上表面对面的谐振部。在所述谐振部与所述模块基板的所述上表面之间设置有空间。
所述体声波谐振器还可包括:谐振器基板;绝缘层,设置在所述谐振器基板的表面上;膜层,与所述绝缘层一起形成腔,所述谐振部设置在所述腔上,并且所述谐振部包括以堆叠构造布置的第一电极、压电层和第二电极;保护层,设置在所述谐振部中的所述第一电极、所述压电层和所述第二电极上;以及疏水层,设置在所述保护层上。
所述疏水层与水的接触角度可以是90°或更大。
所述疏水层可包括氟(F)和硅(Si)中的任意一种或两种。
所述疏水层可围绕所述腔和所述膜层。
所述保护层可包括第一保护层和第二保护层,所述第一保护层利用二氧化硅基绝缘材料或氮化硅基绝缘材料形成,所述第二保护层利用氧化铝基绝缘材料、氮化铝基绝缘材料、氧化镁基绝缘材料、氧化钛基绝缘材料、氧化锆基绝缘材料和氧化锌基绝缘材料中的任意一种形成。
所述体声波谐振器与所述模块基板之间的距离可以是10μm至30μm。
在所述模块基板的所述上表面中可形成有沟槽,并且所述连接端子的将所述体声波谐振器连接到所述模块基板的部分可设置在所述沟槽中。
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