[发明专利]光刻胶剥离方法

权利要求书

1.一种光刻胶剥离方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成消耗层，所述消耗层的厚度满足后续去胶工艺中由去胶过处理对光刻胶底部的影响都位于所述消耗层中；

步骤二、在所述消耗层表面涂布所述光刻胶；

步骤三、对所述光刻胶进行曝光显影形成所述光刻胶的图形结构；

步骤四、以所述光刻胶的图形结构为掩膜在所述半导体衬底上完全器件工艺；

步骤五、进行去胶工艺将所述光刻胶剥离，所述去胶工艺包括去胶过处理，以使所述光刻胶完全剥离，所述去胶过处理对所述光刻胶底部的影响完全位于所述消耗层中，以消除所述去胶过处理对所述半导体衬底产生不利影响；

步骤六、去除所述消耗层。

2.如权利要求1所述的光刻胶剥离方法，其特征在于：所述半导体衬底包括硅衬底。

3.如权利要求2所述的光刻胶剥离方法，其特征在于：所述消耗层的材料包括氧化层或氮化层。

4.如权利要求3所述的光刻胶剥离方法，其特征在于：所述消耗层的厚度为

5.如权利要求2所述的光刻胶剥离方法，其特征在于：步骤四中所述器件工艺包括离子注入工艺。

6.如权利要求5所述的光刻胶剥离方法，其特征在于：所述离子注入工艺为半导体器件的源漏注入工艺并用于形成源区和漏区。

7.如权利要求6所述的光刻胶剥离方法，其特征在于：所述半导体器件为PMOS或NMOS。

8.如权利要求7所述的光刻胶剥离方法，其特征在于：所述半导体器件为PMOS时，所述源漏注入工艺为P+离子注入；所述半导体器件为NMOS时，所述源漏注入工艺为N+离子注入。

9.如权利要求8所述的光刻胶剥离方法，其特征在于：步骤一中，所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构的侧面形成有侧墙。

10.如权利要求9所述的光刻胶剥离方法，其特征在于：步骤三中，所述光刻胶的图形结构将需要进行所述源漏注入的所述半导体器件的形成区域打开；步骤四中，所述源区和所述漏区自对准形成在所述光刻胶的图形结构打开区域的所述栅极结构的两侧。

11.如权利要求9所述的光刻胶剥离方法，其特征在于：所述栅极结构包括依次叠加的栅介质层和多晶硅栅。

12.如权利要求9所述的光刻胶剥离方法，其特征在于：所述侧墙的材料包括氧化层或氮化层。

13.如权利要求1所述的光刻胶剥离方法，其特征在于：步骤五中，所述去胶工艺采用等离子体去胶工艺，所述等离子体去胶工艺的工艺气体包括氧气。

14.如权利要求13所述的光刻胶剥离方法，其特征在于：所述等离子体去胶工艺的工艺条件包括：压力为20毫托～2000毫托,功率600w～3000w，气体流量2000sccm～10000sccm，工艺气体为氧气或者为氧化和氮气的混合气体，所述混合气体中氧气比例不低于50％，温度50℃～300℃。

15.如权利要求1或3所述的光刻胶剥离方法，其特征在于：步骤六中采用湿法刻蚀工艺去除所述消耗层。