[发明专利]接触孔的制造方法

权利要求书

1.一种接触孔的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在具有半导体衬底的第一晶圆上形成层间膜；

步骤二、测量出所述第一晶圆的各区域的所述层间膜的厚度；

步骤三、根据所述第一晶圆的各区域的所述层间膜的厚度值调整对应区域的所述接触孔的光刻定义线宽，以补偿所述层间膜的厚度对后续刻蚀后的所述接触孔的开口线宽的影响并保证刻蚀后对应区域的所述接触孔的开口线宽满足要求值；

步骤四、进行光刻工艺定义出所述第一晶圆的各区域的所述接触孔的开口区域；各区域的所述接触孔的开口大小分别采用对应的调整后的所述光刻定义线宽定义；

步骤五、进行刻蚀工艺将所述接触孔的开口区域中所述层间膜去除以形成所述接触孔的开口。

2.如权利要求1所述的接触孔的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底；

在所述半导体衬底上形成有半导体器件，各所述半导体器件包括栅极结构；

各所述半导体器件还包括源区和漏区。

3.如权利要求2所述的接触孔的制造方法，其特征在于：所述栅极结构包括依次叠加的栅介质层和多晶硅栅。

4.如权利要求2所述的接触孔的制造方法，其特征在于：所述栅极结构包括依次叠加的栅介质层和金属栅。

5.如权利要求4所述的接触孔的制造方法，其特征在于：所述半导体器件的工艺节点为28纳米以下。

6.如权利要求4所述的接触孔的制造方法，其特征在于：所述栅介质层包括高介电常数层，所述金属栅中包括功函数层。

7.如权利要求2所述的接触孔的制造方法，其特征在于：所述层间膜覆盖在所述栅极结构的顶部表面、侧面和所述栅极结构外的所述半导体衬底的表面。

8.如权利要求7所述的接触孔的制造方法，其特征在于：在所述层间膜的底部还形成有接触刻蚀停止层，所述接触刻蚀停止层覆盖在所述栅极结构的顶部表面、侧面和所述栅极结构外的所述半导体衬底的表面，所述层间膜形成在所述接触刻蚀停止层表面。

9.如权利要求1所述的接触孔的制造方法，其特征在于：步骤四中，光刻工艺包括如下分步骤：

在所述层间膜的表面依次形成APF层、DARC层、BARC层和光刻胶；

对所述光刻胶进行曝光显影。

10.如权利要求1所述的接触孔的制造方法，其特征在于：在步骤四完成之后还包括进行ADI检测，所述ADI检测测量出显影后的所述接触孔的开口线宽，所述显影后的所述接触孔的开口线宽由调整后的所述光刻定义线宽确定。

11.如权利要求10所述的接触孔的制造方法，其特征在于：在步骤五完成之后还包括进行AEI检测，所述AEI检测测量出刻蚀后的所述接触孔的开口线宽，所述刻蚀后的所述接触孔的开口线宽和所述显影后的所述接触孔的开口线宽的大小成正比，且所述刻蚀后的所述接触孔的开口线宽和所述层间膜的厚度相关，通过所述调整后的所述光刻定义线宽补偿所述层间膜的厚度对所述刻蚀后的所述接触孔的开口线宽的影响，使厚度不同的各区域的所述刻蚀后的所述接触孔的开口线宽都满足要求值。