[发明专利]光阻残留物的去除方法及逻辑器件

权利要求书

1.一种光阻残留物的去除方法，其特征在于，该方法应用于逻辑器件的制造过程中，包括：

提供一衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域形成有第一栅氧化层以及形成于所述第一栅氧化层上的第一栅极，所述第二区域形成有第二栅氧化层以及形成于所述第二栅氧化层上的第二栅极；

通过光刻工艺在所述第二区域上涂布光阻，对所述第一区域进行浅掺杂SD离子注入，在所述第一栅氧化层的两侧形成所述第一区域的源极和漏极，所述浅掺杂SD离子注入的过程中所述光阻的表层形成有硬壳；

通过干式灰化工艺对所述硬壳进行去除，所述干式灰化工艺的反应气体包括氢气，所述氢气在所述反应气体中的体积比的取值范围为8％至20％，所述干式灰化工艺处理过程中反应气体的压强小于1托尔，所述干式灰化工艺的处理温度的取值范围为150摄氏度至200摄氏度，所述干式灰化工艺的处理时间的取值范围为10秒至20秒；

通过湿法去除工艺对剩余的硬壳和光阻进行去除，所述湿法去除工艺的反应溶液包括SPM药液，所述SPM药液包括H₂SO₄和H₂O₂，H₂SO₄和H₂O₂的容量比值的取值范围为5:1至8:1；

其中，所述第一栅极自下而上依次包括第一多晶硅层、第一硬掩模层以及第二硬掩模层，所述第二栅极自下而上依次包括第二多晶硅层、第三硬掩模层层以及第四硬掩模层，所述第一硬掩模层和所述第三硬掩模层包括氮化硅，所述第二硬掩模层和所述第四硬掩模层包括硅氧化物；当所述第一区域为NMOS区域时，所述第二区域为PMOS区域；当所述第一区域为PMOS区域时，所述第二区域为NMOS区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述湿法去除工艺的处理温度的取值范围为170摄氏度至200摄氏度。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述湿法去除工艺的处理时间的取值范围为20秒至30秒。