[发明专利]存储器编程方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质

权利要求书

1.一种存储器编程方法，其特征在于，所述存储器编程方法至少包括：

1)采用不同的有效初始编程电压对所述存储器中不同编程状态的存储单元进行编程，编程状态越低对应的有效初始编程电压越小；其中，同一页中各存储单元的字线电压为当前页中最高编程状态对应的初始编程电压，同一页中各存储单元的编程状态越低对应的位线电压越大；

2)验证各存储单元是否完成编程，并对未通过验证的所述存储单元增大有效编程电压后再次进行编程，其中，同一次编程中编程状态越低对应的有效编程电压越小。

2.根据权利要求1所述的存储器编程方法，其特征在于：步骤1)中施加不同有效初始编程电压的方法包括：对各存储单元施加相同数值的字线电压，根据不同编程状态对各存储单元施加不同的位线电压，编程状态越低对应的位线电压越大。

3.根据权利要求2所述的存储器编程方法，其特征在于：所述存储单元的字线电压设置为5V～40V。

4.根据权利要求2所述的存储器编程方法，其特征在于：所述存储单元的位线电压设置为0V～10V。

5.根据权利要求1所述的存储器编程方法，其特征在于：步骤2)包括：对编程后的所述存储单元采用验证电压进行验证，当所述存储单元的阈值电压大于所述验证电压时，对应存储单元通过验证。

6.根据权利要求1所述的存储器编程方法，其特征在于：步骤2)中“对未通过验证的所述存储单元增大有效编程电压后再次进行编程”包括：各存储单元的位线电压不变，各存储单元的字线电压增大相同增量或不同增量。

7.根据权利要求1～6任意一项所述的存储器编程方法，其特征在于：所述存储器编程方法还包括：循环执行步骤2)，直至通过验证的所述存储单元数量达到设定值。

8.根据权利要求1所述的存储器编程方法，其特征在于：所述存储器包括NAND闪存存储器。

9.一种存储器编程装置，其特征在于，所述存储器编程装置至少包括：

初始编程模块，用于采用不同的有效初始编程电压对所述存储器中不同编程状态的存储单元进行编程，编程状态越低对应的有效初始编程电压越小；其中，同一页中各存储单元的字线电压为当前页中最高编程状态对应的初始编程电压，同一页中各存储单元的编程状态越低对应的位线电压越大；

验证模块，用于验证各存储单元是否完成编程；

再次编程模块，用于对未通过验证的所述存储单元增大有效编程电压后再次进行编程，其中，同一次编程中编程状态越低对应的有效编程电压越小。

10.根据权利要求9所述的存储器编程装置，其特征在于：所述初始编程模块包括字线电压设置单元及位线电压设置单元；所述字线电压设置单元对各存储单元施加相同数值的字线电压，所述位线电压设置单元基于不同编程状态对各存储单元施加不同的位线电压，编程状态越低对应的位线电压越大。

11.根据权利要求9或10所述的存储器编程装置，其特征在于：所述再次编程模块包括再次验证单元、再次编程单元及循环判断单元；所述再次验证单元用于再次验证所述存储单元是否完成编程；所述再次编程单元将各存储单元的字线电压增大相同增量或不同增量后对未通过验证的存储单元进行再次编程；所述循环判断单元控制所述再次验证单元及所述再次编程单元执行再次验证及再次编程，直至通过验证的所述存储单元数量达到设定值。

12.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备至少包括：

指令存储器和处理器；

所述指令存储器和所述处理器之间互相通信连接，所述指令存储器中存储有计算机指令，所述处理器通过执行所述计算机指令，从而执行权利要求1～8任一项所述的存储器编程方法。

13.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序用于实现如权利要求1～8任一项所述的存储器编程方法。