[发明专利]存储器编程方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质

说明书

本发明提供一种存储器编程方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，存储器编程方法包括：1)采用不同的有效初始编程电压对所述存储器中不同编程状态的存储单元进行编程，编程状态越低对应的有效初始编程电压越小；2)验证各存储单元是否完成编程，并对未通过验证的所述存储单元增大有效编程电压后再次进行编程，同一次编程中编程状态越低对应的有效编程电压越小，所以我们可以在编程时，对不同的编程态采用不同的有效编程电压。本发明对于较低编程态，使用较低编程电压，避免过编程现象；对于较高编程态，使用较高有效编程电压，可以减少编程脉冲个数，降低编程时间，芯片写入速度更快。

技术领域

本发明涉及半导体存储器技术领域，特别是涉及一种存储器编程方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。

背景技术

NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据，具有存储成本低、存储容量高等优点。现有的NAND闪存芯片通常采用ISPP(Incremental Step PulseProgramming，递进步长脉冲编程)方法进行编程，利用逐步增大的编程电压对器件进行编程，每一个编程脉冲后都有相对应的验证脉冲，来检验存储单元阈值电压是否达到目标值。

存储容量的不断增大，使得SLC(Single Level Cell，单层存储单元)上的存储元件数量越来越多，编程的时间也就越来越长；尤其是随着对存储密度的要求越来越高，MLC(Multi Level Cell，双层存储单元)、TLC(Trinary Level Cell，双层存储单元)及QLC(Quad Level Cell，双层存储单元)相继问世，层数越多编程的时间越长，芯片写入的速度就越慢。

因此，如何在保证高存储密度的条件下尽可能缩短编程时间、加快芯片写入速度，已成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种存储器编程方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，用于解决现有技术中编程时间长、芯片写入速度慢等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种存储器编程方法，所述存储器编程方法至少包括：

1)采用不同的有效初始编程电压对所述存储器中不同编程状态的存储单元进行编程，其中，编程状态越低对应的有效初始编程电压越小；

2)验证各存储单元是否完成编程，并对未通过验证的所述存储单元增大有效编程电压后再次进行编程，其中，同一次编程中编程状态越低对应的有效编程电压越小。

可选地，步骤1)中施加不同有效初始编程电压的方法包括：对各存储单元施加相同数值的字线电压，根据不同编程状态对各存储单元施加不同的位线电压，编程状态越低对应的位线电压越大。

更可选地，所述存储单元的字线电压设置为5V～40V。

更可选地，所述存储单元的位线电压设置为0V～10V。

可选地，步骤2)包括：对编程后的所述存储单元采用验证电压进行验证，当所述存储单元的阈值电压大于所述验证电压时，对应存储单元通过验证。

可选地，步骤2)中“对未通过验证的所述存储单元增大有效编程电压后再次进行编程”包括：各存储单元的位线电压不变，各存储单元的字线电压增大相同增量或不同增量。

更可选地，所述存储器编程方法还包括：循环执行步骤2)，直至通过验证的所述存储单元数量达到设定值。

可选地，所述存储器包括NAND闪存存储器。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明还提供一种存储器编程装置，所述存储器编程装置至少包括：

初始编程模块，用于采用不同的有效初始编程电压对所述存储器中不同编程状态的存储单元进行编程，其中，编程状态越低对应的有效初始编程电压越小；