[发明专利]气体喷淋头的清洗方法在审

专利信息
申请号: 201911166034.7 申请日: 2019-11-25
公开(公告)号: CN112831793A 公开(公告)日: 2021-05-25
发明(设计)人: 姜勇;王家毅 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
主分类号: C23G1/19 分类号: C23G1/19;C23G1/08;C23C22/73;C23G1/24
代理公司: 上海元好知识产权代理有限公司 31323 代理人: 徐雯琼;张静洁
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 气体 喷淋 清洗 方法
【说明书】:

发明公开了一种沉积有沉积物的气体喷淋头的清洗方法,沉积物包括镓(Ga)、镁(Mg)、铝(Al)或铟(In)中至少一种元素,清洗方法包括:将气体喷淋头放置在氢氧化钠碱性溶液中清洗;将气体喷淋头放置在硝酸和氢氟酸的酸性混合液中清洗;将气体喷淋头放置在硝酸酸性溶液中清洗;在进行碱性溶液清洗、酸性混合液清洗或酸性溶液清洗的步骤之前或之后进行去离子水清洗。在经过碱性溶液清洗、酸性混合液清洗及酸性溶液清洗的气体喷淋头,其上沉积物被有效清除,而被重新使用。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种去除气体喷淋头上产生的沉积物或油脂的清洗方法。

背景技术

近年来,在半导体制造领域,使用了用于向半导体衬底等基板供气的气体喷淋头。例如在金属有机化合物化学气相沉积设备(MOCVD)或化学气相沉积设备(CVD)中,在处理室内设置有用于载置衬底的载置台,与该载置台相对的位置设置有气体喷淋头。

气体喷淋头在使用过一段时间后,其上会沉积一些沉积物,这些沉积物如不进行处理,会在气体喷淋头表面堆积起来而堵塞气体喷淋头表面的气体喷出孔,影响气体喷淋头的使用。且,这些沉积物还容易掉落在待处理衬底上,影响待处理衬底的性能。另外,气体喷淋头长期暴露在腔室环境中及人为的不定时清理等因素,气体喷淋头表面常常会附着有油脂,如不对这些油脂进行处理,同样会堵塞气体喷淋头表面的气体喷出孔,影响气体喷淋头的使用。上述这些问题都会最终导致气体喷淋头报废并降低衬底生产效率。

因此,亟需一种有效去除气体喷淋头上产生的沉积物或油脂的清洗方法,以避免上述问题。

发明内容

有鉴于此,本发明提供了一种有效去除气体喷淋头上产生的沉积物或油脂的清洗方法,使得被污染的气体喷淋头重新得以使用。

为实现上述目的,本发明提供一种沉积有沉积物的气体喷淋头的清洗方法,所述沉积物包括镓(Ga)、镁(Mg)、铝(Al)或铟(In)中至少一种元素,所述清洗方法包括:

将气体喷淋头放置在氢氧化钠碱性溶液中清洗;

将气体喷淋头放置在硝酸和氢氟酸的酸性混合液中清洗;

将气体喷淋头放置在硝酸酸性溶液中清洗;

在进行碱性溶液清洗、酸性混合液清洗或酸性溶液清洗的步骤之前或之后进行去离子水清洗。

可选的,所述氢氧化钠的浓度为10%-20%。

可选的,所述去离子水清洗包括采用超声波震荡去离子水清洗、流动去离子水清洗或高压喷淋去离子水清洗中的至少一种。

可选的,高压喷淋去离子水清洗过程中的压强范围为1Mpa-50Mpa。

可选的,在去离子水清洗过程之后,用氮气吹干所述气体喷淋头。

可选的,在清洗完成之后,将气体喷淋头放置在100℃-200℃高温烘箱中烘烤。

可选的,所述沉积物包括氮化镓(GaN)、氧化镁(MgO)、氧化铝(Al2O3)或氮化镓铟(InGaN)中的至少一种化合物。

可选的,所述清洗方法在温度20℃-25℃环境下进行。

可选的,所述气体喷淋头由316L不锈钢材料制成。

本发明还提供一种一种沉积有沉积物的气体喷淋头的清洗方法,所述沉积物包括镓(Ga)、镁(Mg)、铝(Al)或铟(In)中至少一种元素,所述清洗方法包括:

将气体喷淋头放置在碱性脱脂液中清洗;

将气体喷淋头放置在氢氧化钠碱性溶液中清洗;

将气体喷淋头放置在硝酸和氢氟酸的酸性混合液中清洗;

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